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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
si7356dp。 fan5019b電路中的mosfet選擇由控制器fan5019b及3個驅(qū)動器fan5009組成的三相同步整流降壓式dc/dc轉(zhuǎn)換器電路如圖7所示?，F(xiàn)使用條件：vin=vcc=12v(vcc是供控制器及驅(qū)動器的工作電壓)，vout=1.5v，io=65a(io即iout(max))，fsw=228khz，選擇開關(guān)管及同步整流管(采用兩個并聯(lián)組成)。初選快速開關(guān)管fdd6696為開關(guān)管(其qg為17nc)，同步整流管選fdd6682(其rds(on)=11.9mω)。其主要參數(shù)如表4所示。開關(guān)管傳導(dǎo)損耗pc(mf)計算 pc(mf)=d[(io/nmf)2+1/12(n×ir/nmf)2]×rds(on) 式中d為占空比(d=vin/vout) ；ir為紋電流(ir=1/n×io×40%）；nmf為總的開關(guān)管數(shù)；n為相數(shù)；io=iout(max)。ir計
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omω； (2)盡可能高的導(dǎo)通電流： (3)額定vdds應(yīng)該大于15v。在選擇低端mosfet時，rds(on)是最重要的考慮因素，因?yàn)樵谡９ぷ鲿r，低端的mosfet導(dǎo)通時間較長，因而功率消耗較大。因此在本設(shè)計中．每相在低端都使用了兩個fdd6682，其導(dǎo)通電流為75a，在vgs為10v時(正常工作狀態(tài))，rds(on)，為6．2mω，額定vdds為30v。對高端的mosfet而言，門電荷qg也是重要的考慮因素，要求其越低越好，否則會影響開關(guān)速度進(jìn)而影響功耗。因此在每相高端都使用了一個fdd6696，其導(dǎo)通電流為50a，在vgs為lov時，rds(on)為8．0mω，額定vdds為30v，門電荷為17nc，可以完令滿足沒計的要求。3．2 輸出電感的選擇輸出電感有3個主要指標(biāo)，電感量l、額定電流值irated和直流電阻rdcr，電感的額定電流值是電感線圈的飽和電流或過熱電流中較小的值。為使4相的輸出電流總量大于等于125a，每相的輸出電感額定電流應(yīng)大于等于31．25a。電感量的取值與工作頻率，紋波電流等因素都有一定的相關(guān)，可以根據(jù)式(1)進(jìn)行計算：式中：vcccore為輸

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