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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
b電路中的mosfet選擇由控制器fan5019b及3個(gè)驅(qū)動(dòng)器fan5009組成的三相同步整流降壓式dc/dc轉(zhuǎn)換器電路如圖7所示?，F(xiàn)使用條件：vin=vcc=12v(vcc是供控制器及驅(qū)動(dòng)器的工作電壓)，vout=1.5v，io=65a(io即iout(max))，fsw=228khz，選擇開關(guān)管及同步整流管(采用兩個(gè)并聯(lián)組成)。初選快速開關(guān)管fdd6696為開關(guān)管(其qg為17nc)，同步整流管選fdd6682(其rds(on)=11.9mω)。其主要參數(shù)如表4所示。開關(guān)管傳導(dǎo)損耗pc(mf)計(jì)算 pc(mf)=d[(io/nmf)2+1/12(n×ir/nmf)2]×rds(on) 式中d為占空比(d=vin/vout) ；ir為紋電流(ir=1/n×io×40%）；nmf為總的開關(guān)管數(shù)；n為相數(shù)；io=iout(max)。ir計(jì)算得ir=8.66a，代入公式：
大功率CPU核心電壓供電電路的設(shè)計(jì)
±5mv，每相的開關(guān)頻率fsw設(shè)定為228khz。外圍元器什的具體參數(shù)如表l所列。 3 重要器件的選擇與布局布線規(guī)則3．1 功率mosfet的選擇在選擇高端和低端功率mosfet時(shí)，主要考慮如下幾個(gè)方面： (1)較低的rds(on)，應(yīng)小于1omω； (2)盡可能高的導(dǎo)通電流： (3)額定vdds應(yīng)該大于15v。在選擇低端mosfet時(shí)，rds(on)是最重要的考慮因素，因?yàn)樵谡９ぷ鲿r(shí)，低端的mosfet導(dǎo)通時(shí)間較長，因而功率消耗較大。因此在本設(shè)計(jì)中．每相在低端都使用了兩個(gè)fdd6682，其導(dǎo)通電流為75a，在vgs為10v時(shí)(正常工作狀態(tài))，rds(on)，為6．2mω，額定vdds為30v。對高端的mosfet而言，門電荷qg也是重要的考慮因素，要求其越低越好，否則會(huì)影響開關(guān)速度進(jìn)而影響功耗。因此在每相高端都使用了一個(gè)fdd6696，其導(dǎo)通電流為50a，在vgs為lov時(shí)，rds(on)為8．0mω，額定vdds為30v，門電荷為17nc，可以完令滿足沒計(jì)的要求。3．2 輸出電感的選擇輸出電感有3個(gè)主要指標(biāo)，電感量l、額定電流值irated和直流電阻rdcr，電感的額定

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