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和電氣性能,并同時節(jié)省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrenchmosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓(vgs)提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。. 供貨:現(xiàn)貨 交貨期:收到訂單后12周內(nèi) 來源:小草
?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流 (ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。. 供貨: 現(xiàn)貨 交貨期: 收到訂單后12周內(nèi)
空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流 (ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。. 供貨: 現(xiàn)貨交貨期: 收到訂單后12周內(nèi)
省線路板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz 和 fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或 p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z 和 fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓 (vf) 和反向泄漏電流 (ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。
并同時節(jié)省線路板空間。” 在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrenchmosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓(vgs)提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。 供貨:現(xiàn)貨 交貨期:收到訂單后12周內(nèi)
板空間?!?在這些新microfet產(chǎn)品中,fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分別具備不同的配置,集成了單及雙p溝道powertrench mosfet與esd保護齊納二極管。為了獲得額外的系統(tǒng)性能,fdma1023pz更可保證以低至1.5v的柵極電壓 (vgs) 提供低額定導通阻抗rds(on)。這幾款器件尤其適合充電和負載開關應用。 另外三款產(chǎn)品集成了n或p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管。當中,fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p溝道m(xù)osfet和肖特基二極管,并經(jīng)優(yōu)化以提升前向電壓(vf)和反向泄漏電流(ir),能將效率提升至最高。這兩款器件適用于降低熱阻抗至關重要的充電應用。第三款器件fdfma2n028z采用n溝道m(xù)osfet和肖特基二極管組合,這種配置非常適合于升壓應用。 這些產(chǎn)品采用無鉛封裝,能夠滿足甚至超越icp/jedec的j-std-020c標準要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。 供貨:現(xiàn)貨 交貨期:收到訂單后12周內(nèi)