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FDB2710
7459
NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
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20000
TO220/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談
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原裝現(xiàn)貨
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終端可以免費供樣，支持BOM配單
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一級代理保證
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原裝現(xiàn)貨
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行業(yè)十年，價格超越代理， 支持權(quán)威機構(gòu)檢測
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16500
Reel/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
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9860
N/A/1808+
原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷
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SMD/2519+
一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨
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TO263/22+
官網(wǎng)可查icscjh.com
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SOT263/23+
只做原裝現(xiàn)貨
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TO263/1932+
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
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168000
TO2632L(D2PAK)/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道
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TO2632L(D2PAK)/23+
終端可以免費供樣，支持BOM配單
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5270
TO2632/21+
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FDB2710
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣
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540030
TO252/22+
可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/
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64000
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一級代理保證
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16523
TO2633D/18+
原廠原裝代理直銷/代理渠道價格優(yōu)勢
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250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD
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MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
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250V N-Channel PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fom及采用緊湊
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on) 加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導損耗和出色的開關(guān)性能。器件極低的導通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可靠性。 飛兆半導體功率產(chǎn)品部副總裁taehoon kim表示：“飛兆半導體的fdb2614和fdb2710 mosfet具有領(lǐng)先的fo
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v) n溝道m(xù)osfet，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專門設(shè)計，可為等離子體顯示板(pdp)應(yīng)用提供良好的系統(tǒng)效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專利的powertrench工藝技術(shù)，這些mosfet比較市場上同類型器件提供最低的導通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值為22.9毫歐；fdb2710的典型值為36.3毫歐)。超低的rds(on)加上極低的柵極電荷(qg)，使得該器件具有同級產(chǎn)品最佳的品質(zhì)因數(shù)(fom)，因而在pdp系統(tǒng)中能獲得更低的傳導損耗和良好的開關(guān)性能。器件極低的導通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的擊穿電壓，可以封裝在占位面積更小的d2pak封裝中。powertrench mosfet的另一個優(yōu)勢是能夠承受高速電壓(dv/dt)和電流(di/dt)開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，有助于提高系統(tǒng)的可*性。 fdb2614和fdb2710的主要功能和優(yōu)勢包括： 最低導通阻抗rds(on)及低柵極電荷，具備同級產(chǎn)品最佳的fom(rds(on)xqg
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