帶有此標記的料號：
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2000
TO252/23+
四雄微原裝價優(yōu)實在
FDD4141
29650
TO252/23+
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FDD4141
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FDD4141
2800
TO252AA/24+/25+
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FDD4141
10000
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進口原裝，現貨熱賣
FDD4141-F085
2500
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原裝現貨熱賣中
FDD4141
13780
TO252/23
23
FDD4141
100000
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1比1質量完美通用/包上機可供更多
FDD4141-F085
15000
TO252/24+
百分百原裝，真實現貨
FDD4141-F085
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100%全新進口原裝長期供應絕對優(yōu)勢價格誠信經營
FDD4141
232500
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原裝正品，亞太區(qū)混合型電子元器件分銷
FDD4141
149712
TO252AA/-
原裝現貨，可開票，提供賬期誠信服務
FDD4141
1
QFN/18+
長期回收此型號/回收庫存料
FDD4141
5061
TO252/23+
-
FDD4141
5000
TO252/25+
只做原裝，可提供技術支持及配單服務
FDD4141
521010
NR/2017+
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FDD4141
2000
TO252/25+
只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
FDD4141
4309
NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
FDD4141
30000
-/-
全新原裝
FDD4141
P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDD4141PDF下載
FDD4141_F085
Fairchild
FDD4141_F085PDF下載
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道powertrench mosfet產品fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141具有低導通阻抗(rds(on))，與目前的mosfet比較能降低柵極電荷(qg)達50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量?？焖匍_關是步降轉換器等開關速度需要達到數百khz應用的必備條件。盡管其它mosfet解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的powertrench工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench技術將n溝道m(xù)osfet的特性運用在p溝道m(xù)osfet中，使到p溝道m(xù)osfet具備n溝道m(xù)osfet的性能，并表現出更低的rds (on)和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百khz的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。 fdd4141是飛兆
飛兆半導體公司 (fairchild semiconductor) 推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量?？焖匍_關是步降轉換器等開關速度需要達到數百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百 k
飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)推出40v p溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量。快速開關是步降轉換器等開關速度需要達到數百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，但這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道m(xù)osfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百 khz 的高
飛兆半導體公司推出 40v p 溝道 powertrench mosfet 產品 fdd4141，為功率工程師提供快速開關的解決方案，可將開關損耗減少達一半。fdd4141 具有低導通阻抗 (rds(on))，與目前的 mosfet 比較能降低柵極電荷(qg) 達 50%，可讓便攜、計算、消費和家庭娛樂產品中的異步降壓、電池充電和逆變器開關等應用，以更高的速度進行切換，而不會產生過多的熱量?？焖匍_關是步降轉換器等開關速度需要達到數百 khz 應用的必備條件。盡管其它 mosfet 解決方案亦可在較高頻率下進行切換，惟這些解決方案的柵極電荷較高，造成發(fā)熱更多、效率降低。 fdd4141采用飛兆半導體專有的 powertrench 工藝技術制造，可將負載電流更高的晶圓封裝在尺寸更小的封裝中。powertrench 技術將 n 溝道 mosfet 的特性運用在 p 溝道 mosfet 中，使到 p 溝道 mosfet 具備 n 溝道 mosfet 的性能，并表現出更低的 rds (on) 和更低的柵極電荷，繼而更高的效率，同時還能夠在數百 khz 的高頻下切換，以達致步降轉換器的開關要求。
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