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  • 飛兆擴充其低壓MOSFET產(chǎn)品系列 推出11款新型器件

    rds(on)低至2.0m ohms,是業(yè)界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,這些器件還可節(jié)省線路板空間,因為一個飛兆半導體的低rds(on) mosfet可替代兩個在這些設計中傳統(tǒng)使用較高rds(on)的mosfet。而且,這些mosfet能滿足uis要求并達到嚴格的aec-q101汽車標準,可在嚴酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。 飛兆半導體功能功率部汽車功率產(chǎn)品副總裁paul leonard稱:“飛兆半導體的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860器件,提供的導通電阻僅為55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高壓器件的二分之一。在汽車設計中,低導通電阻意味著更高的效率,因為功耗低及熱量的產(chǎn)生較少。除了面向30v和40v應用的11種新器件外,飛兆半導體將繼續(xù)擴充全線的車用mosfet產(chǎn)品系列,以便更好地協(xié)助客戶滿足這個快速變化的市場需求?!?飛兆半導體面向汽車應用的mosfet經(jīng)鑒定達到iso/ts 16949標準。這標準是業(yè)界逐步開發(fā)適用于整個汽車供應鏈的單一標準的成果,包括設計/開發(fā)、生產(chǎn)及汽車組件的安裝和服務

  • 飛兆推出11種面向電機控制應用的新型30/40V MOSFET器件

    et的rds(on)低至2.0m ohms,是業(yè)界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,這些器件還可節(jié)省線路板空間,因為一個飛兆半導體的低rds(on) mosfet可替代兩個在這些設計中傳統(tǒng)使用較高rds(on)的mosfet。而且,這些mosfet能滿足uis要求并達到嚴格的aec-q101汽車標準,可在嚴酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。 飛兆半導體功能功率部汽車功率產(chǎn)品副總裁paul leonard稱:“飛兆半導體的新型30v mosfet如2.3 m ohm fdb8860 器件,提供的導通電阻僅為55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高壓器件的二分之一。在汽車設計中,低導通電阻意味著更高的效率,因為功耗低及熱量的產(chǎn)生較少。除了面向30v和40v應用的11種新器件外,飛兆半導體將繼續(xù)擴充全線的車用mosfet產(chǎn)品系列,以便更好地協(xié)助客戶滿足這個快速變化的市場需求?!?飛兆半導體面向汽車應用的mosfet經(jīng)鑒定達到iso/ts 16949 標準。這標準是業(yè)界逐步開發(fā)適用于整個汽車供應鏈的單一標準的成果,包括設計/開發(fā)、生產(chǎn)及汽車組件的安裝和服務

  • 飛兆AEC-Q101低壓30/40V MOSFET為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢

    mosfet的rds(on)低至2.0m ohms,是業(yè)界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善,這些器件還可節(jié)省線路板空間,因為一個飛兆半導體的低rds(on) mosfet可替代兩個在這些設計中傳統(tǒng)使用較高rds(on)的mosfet。而且,這些mosfet能滿足uis要求并達到嚴格的aec-q101汽車標準,可在嚴酷的電氣環(huán)境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。 飛兆半導體功能功率部汽車功率產(chǎn)品副總裁paul leonard稱:“飛兆半導體的新型30v mosfet如2.3m ohm fdb8860 器件,提供的導通電阻僅為55v或60v mosfet的一半,因此能降低功耗至高壓器件的二分之一。在汽車設計中,低導通電阻意味著更高的效率,因為功耗低及熱量的產(chǎn)生較少。除了面向30v和40v應用的11種新器件外,飛兆半導體將繼續(xù)擴充全線的車用mosfet產(chǎn)品系列,以便更好地協(xié)助客戶滿足這個快速變化的市場需求。” 飛兆半導體面向汽車應用的mosfet經(jīng)鑒定達到iso/ts 16949 標準。這標準是業(yè)界逐步開發(fā)適用于整個汽車供應鏈的單一標準的成果,包括設計/開發(fā)、生產(chǎn)及汽車組件的安裝和服務。這個

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