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飛兆全新超薄MicroFET產(chǎn)品FDMA1027滿足便攜應(yīng)用要求
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet產(chǎn)品fdma1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p溝道powertrench mosfet，fdfma2p853則是20v p溝道powertrench mosfet，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853專為更高效率而設(shè)計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的powertrench mosfet工藝，能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm x 2mm sc-70封裝類似尺寸的器件比較，fdma1027和fdfma2p853提供更低的傳導(dǎo)損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4w功率，而sc-70封裝器件的功率消耗則為300mw。飛兆半導(dǎo)體的
飛兆推出業(yè)界最薄的MicroFETMOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet產(chǎn)品fdma1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p溝道powertrench mosfet，fdfma2p853則是20v p溝道powertrench mosfet，帶有肖特基二極管，并采用2mm× 2mm× 0.55mm mlp封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm× 3mm× 1.1mm mosfet，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853專為更高效率而設(shè)計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的powertrench mosfet工藝，能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm× 2mm sc-70封裝類似尺寸的器件比較，fdma1027和fdfma2p853提供更低的傳導(dǎo)損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4w功率，而sc-70封裝器件的功率消耗則為300mw。飛兆半導(dǎo)體的microfe
飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET™ (0.55mm) MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 推出全新超薄的高效率microfet產(chǎn)品fdma1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p溝道powertrench® mosfet，fdfma2p853則是20v p溝道powertrench® mosfet，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm mlp封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm mosfet，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853專為更高效率而設(shè)計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的powertrench® mosfet工藝，能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm x 2mm sc-70封裝類似尺寸的器件比較，fdma1027和fdfma2p853提供更低的傳導(dǎo)損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4w功率，而sc-70封裝器件的功率消耗則
飛兆推出MOSFETFDMA1027與FDFMA2P853
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出全新超薄的高效率microfet產(chǎn)品fdma1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。fdma1027是20v p溝道powertrench mosfet，fdfma2p853則是20v p溝道powertrench mosfet，帶有肖特基二極管，并采用2mm×2mm×0.55mm mlp封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm×3mm×1.1mm mosfet，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。 fdma1027和fdfma2p853專為更高效率而設(shè)計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的powertrench mosfet工藝，能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm×2mm sc-70封裝類似尺寸的器件比較，fdma1027和fdfma2p853提供更低的傳導(dǎo)損耗(降低約60%)，并且能夠耗散1.4w功率，而sc-70封裝器件的功率消耗則為300mw。飛兆半導(dǎo)體的microfet系列提供了

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類別:

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系列:

FET 型:

FET 特點:

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

包裝:

其它名稱:

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飛兆推出業(yè)界最薄的MicroFETMOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET™ (0.55mm) MOSFET

飛兆推出MOSFETFDMA1027與FDFMA2P853

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飛兆推出業(yè)界最薄的MicroFETMOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界最薄的MicroFET™ (0.55mm) MOSFET

飛兆推出MOSFETFDMA1027與FDFMA2P853

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