一文詳解：半導(dǎo)體、芯片、集成電路、晶圓之差異

在電子科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，“半導(dǎo)體”“芯片”“集成電路”“晶圓” 這些詞匯頻繁出現(xiàn)在新聞報(bào)道、產(chǎn)品介紹中，很多人卻容易將它們混淆。實(shí)際上，這四個(gè)概念既緊密關(guān)聯(lián)，又存在明確差異，如同電子產(chǎn)業(yè) “金字塔” ...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-09-15 閱讀：5836 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體

深度剖析晶圓加工的完整基本流程

滾磨工藝是晶圓加工的起始步驟，其目的是對(duì)硅單晶棒的外徑進(jìn)行精確磨削，使其達(dá)到目標(biāo)直徑，并加工出平邊參考面或定位槽。單晶爐制備的單晶棒外徑表面粗糙不平，且直徑大于最終應(yīng)用的硅片直徑，因此外徑滾磨是獲得符...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-08-12 閱讀：491 關(guān)鍵詞：晶圓

深度解析：晶圓與芯片區(qū)別全知道

晶圓和芯片的定義晶圓（Wafer）：晶圓是制造芯片的基礎(chǔ)材料，通常由高純度的單晶硅制成圓形薄片。它就像是芯片制造的 “畫布”，通過(guò)一系列復(fù)雜的工藝，能在上面制造出數(shù)千甚至數(shù)萬(wàn)個(gè)芯片。晶圓的直徑常見(jiàn)的有 6 英...

時(shí)間：2025-06-09 閱讀：224 關(guān)鍵詞：晶圓

全面解析扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)原理與流程

扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)概述　　在集成電路封裝領(lǐng)域，常規(guī) IC 封裝需要經(jīng)歷將晶圓與 IC 封裝基板焊接，再把 IC 基板焊接至普通 PCB 的復(fù)雜流程。而扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）技術(shù)則基于 IC 晶圓，運(yùn)用 PCB 制...

分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-05-15 閱讀：745 關(guān)鍵詞：晶圓級(jí)封裝

一文詳解晶圓BUMP加工工藝和原理

隨著現(xiàn)代電子裝置對(duì)小型化、輕量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化方面的要求不斷提高，IC芯片的特征尺寸不斷縮小，且集成規(guī)模迅速擴(kuò)大，芯片封裝技術(shù)也在不斷革新，凸點(diǎn)加工工藝（Bumpprocessflow）也因...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2020-10-28 閱讀：2551 關(guān)鍵詞：一文詳解晶圓BUMP加工工藝和原理晶圓

用于扇出型晶圓級(jí)封裝的銅電沉積

隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間，異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一，高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多的認(rèn)可。...

分類：其它 時(shí)間：2020-07-13 閱讀：751 關(guān)鍵詞：用于扇出型晶圓級(jí)封裝的銅電沉積晶圓

一文讀懂晶體生長(zhǎng)和晶圓制備

有了之前的介紹，相信大家對(duì)晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的作用有了一個(gè)清晰的認(rèn)識(shí)。那么，自然而然地，一個(gè)疑問(wèn)就冒出來(lái)了：晶圓是如何生長(zhǎng)的?又是如何制備的呢?本節(jié)小編將為大家一一道來(lái)?！　”竟?jié)的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)?..

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2018-07-05 閱讀：1833 關(guān)鍵詞：晶體,晶圓

IC芯片的晶圓級(jí)射頻（RF）測(cè)試

對(duì)于超薄介質(zhì)，由于存在大的漏電和非線性，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容（Cox）。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn)，對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路...

分類：物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時(shí)間：2014-11-03 閱讀：2877 關(guān)鍵詞：IC芯片的晶圓級(jí)射頻（RF）測(cè)試IC芯片 晶圓級(jí) 射頻(RF)測(cè)試 參數(shù)測(cè)試儀RF

DScreen研制出晶圓端面的高蝕刻清洗技術(shù)

據(jù)報(bào)道，日本DAINIPPONSCREENMFG的半導(dǎo)體設(shè)備公司開(kāi)發(fā)出了高精度清除附著于晶圓斜面（端面及其鄰接傾斜部分）的金屬膜的蝕刻清洗技術(shù)“BevelEtchingChamber（BEC）”。通過(guò)采用新的晶圓夾緊裝置和處理方法等，改進(jìn)了...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-03 閱讀：1706

力晶第二座12英寸晶圓廠將在6月3日舉行啟用儀式

力晶半導(dǎo)體旗下位于新竹科學(xué)園區(qū)的第2座12英寸晶圓廠（12B）6月3日舉行啟用典禮，象征向世界前5大DRAM廠邁進(jìn)的決心。董事長(zhǎng)黃崇仁表示，力晶開(kāi)拓我國(guó)臺(tái)灣的決心不變，不論經(jīng)濟(jì)如何波動(dòng)，將依原規(guī)劃每2年在我國(guó)臺(tái)灣蓋...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：2503

SDRAM市場(chǎng)回升，兩岸晶圓代工重拾信心

SDRAM市場(chǎng)需求節(jié)節(jié)攀升，下游客戶端庫(kù)存量已降至相對(duì)低點(diǎn)，加上DRAM廠紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至NAND型Flash，使得近來(lái)SDRAM出現(xiàn)難得一見(jiàn)的榮景，不僅顆粒報(bào)價(jià)水漲船高，晶圓代工廠商也雨露均沾，相繼調(diào)漲代工報(bào)價(jià)，其中，力晶...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：2938

DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)變，出貨報(bào)價(jià)毫不手軟

進(jìn)入第二季底，多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對(duì)季底作帳而壓低DRAM報(bào)價(jià)，不過(guò)，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢(shì)上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價(jià)恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM...

分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時(shí)間：2011-09-02 閱讀：1548