9月24日消息，昨天在美國(guó)舊金山2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(huì)（Intel Developer Forum, IDF）上，英特爾總裁兼執(zhí)行官保羅·歐德寧（Paul Otellini）展示了世界上首款基于22納米制程技術(shù)的芯片。

　　          歐德寧展示世界上款基于22納米制程技術(shù)可工作芯片的硅晶圓

　　◆ 在處理器和其他邏輯芯片使用22納米制程技術(shù)之前，SRAM作為測(cè)試平臺(tái)證明了22納米的技術(shù)性能、工藝良率和芯片可靠性。

　　◆ 英特爾22納米技術(shù)現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段，按既定步調(diào)將"Tick-tock模式"推進(jìn)到下一代。

　　◆ 該22納米測(cè)試電路包括用于22納米微處理器的SRAM存儲(chǔ)器和邏輯電路。

　　◆ 在364兆位的陣列中，有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化；而0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化，而且是迄今所知電路中可工作的的SRAM單元。單顆DIE內(nèi)能夠容納恐怖的29億個(gè)晶體管，密度大約是之前32納米芯片的兩倍。

　　◆ 22納米尺寸使用的曝光工具波長(zhǎng)為193納米，證明了英特爾精妙的光刻技術(shù)。

　　◆ 22納米技術(shù)延續(xù)了摩爾定律：晶體管更小，每個(gè)晶體管能效（性能/瓦）更高、成本更低。

　　歐德寧表示："在我們的關(guān)鍵增長(zhǎng)領(lǐng)域，英特爾酷睿和凌動(dòng)處理器已經(jīng)帶來了空前的反響和機(jī)遇。在這個(gè)良好勢(shì)頭的基礎(chǔ)上，我們正努力通過所有的計(jì)算設(shè)備，為人們創(chuàng)造無縫的互聯(lián)網(wǎng)體驗(yàn)。今天，我們將發(fā)布一項(xiàng)計(jì)劃，鼓勵(lì)開發(fā)只需編程序即可在Windows和Moblin設(shè)備上同時(shí)運(yùn)行的應(yīng)用軟件--并使之?dāng)U展到更多的設(shè)備，讓更多的消費(fèi)者受益。"