印刷設(shè)備的主要供應商，EVG集團日前公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI FB XT,該平臺匯集多項技術(shù)突破，令半導體行業(yè)向?qū)崿F(xiàn)3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標又邁進了一步。新平臺晶圓對晶圓排列是過去標準平臺的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%,此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導體行業(yè)能夠在未來不斷提升設(shè)備密度，強化設(shè)備機能，同時又無需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術(shù)。

　　晶圓對晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內(nèi)存，邏輯記憶以及未來互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個關(guān)鍵步驟。與此同時，是實現(xiàn)各鍵合晶圓之間電接觸點的硅片通道尺寸的化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個關(guān)鍵方面。然而，只有實現(xiàn)了各晶圓之間緊密排列和套準，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區(qū)域化，才能夠?qū)⒏嗟木A面積用于裝置生產(chǎn)。

　　對位是3D-IC融化鍵合的關(guān)鍵

　　根據(jù)2012年國際半導體技術(shù)藍圖顯示，應用高密度硅片通道必須在2015年以前達到鍵合晶圓對位500納米（3西格瑪）。而要實現(xiàn)混合鍵合高產(chǎn)量，則需要更高的規(guī)格。 GEMINI FB XT平臺包含了EVG集團新推出的SmartView NT2鍵合對準機，能夠大幅提升晶圓對晶圓對位至200納米以下（3西格瑪）。這意味著，同過去大量使用的SmartView NT平臺--即先前的行業(yè)晶圓對位基準--相比，新平臺的晶圓對位將達到先前的三倍，突破的國際半導體技術(shù)藍圖標準，為正在考慮在產(chǎn)品設(shè)計中引入3D-IC及硅片通道技術(shù)的制造商清除一個關(guān)鍵障礙。一體化的計量模塊在預先鍵合后確定排列能夠使客戶在必要時迅速調(diào)整高容量生產(chǎn)加工的鍵和過程。

　　XT架構(gòu)平臺是EVG集團在半導體行業(yè)廣泛使用的一款平臺，相比之下，GEMINI FB XT則是為了實現(xiàn)超高能吞吐量及性能而專門優(yōu)化設(shè)計的。額外添加的預先和事后加工模組所具備的晶圓清潔、平面準備、等粒子激活以及晶圓鍵合排列功能使得該平臺的吞吐量提高了50%.而除此之外，由于新平臺的晶圓排列更加緊密，IC制造商們得以將晶圓堆疊從半導體制造價值鏈的中后段加工推至前端。而這又使得裝置制造商們能夠從晶圓層面為各自的產(chǎn)品添加更多功能，同時，高水平的并行加工又能夠大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本，真可謂是一舉多得。

　　“隨著EUV平板印刷技術(shù)不斷延期，3D-IC及硅片通道一體化已經(jīng)逐漸成為未來半導體裝置延續(xù)摩爾定律的潛力的方式之一。不過，要在新興的記憶邏輯應用中融入3D-IC和硅片通道技術(shù)，首先必須實現(xiàn)晶圓對晶圓緊密排列?！盓VG集團技術(shù)主管Paul Lindner如是說道?！癊VG集團將繼續(xù)不斷改進旗下的3D-IC及硅片通道應用產(chǎn)品，以幫助客戶能盡早實現(xiàn)3D-IC技術(shù)的商業(yè)化，新一代的GEMINI FB XT平臺是實現(xiàn)這一目標的一個重要里程碑，我們期待與客戶們一道努力，爭取的發(fā)揮出3D-IC高產(chǎn)量制造的潛力?！?/FONT>