什么是光電探測(cè)器?光電探測(cè)器如何區(qū)分?

光電探測(cè)器（Photodetector）的定義光電探測(cè)器是一種將光信號(hào)（光子）轉(zhuǎn)換為電信號(hào)（電流或電壓）的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于光通信、成像、傳感、測(cè)距等領(lǐng)域。其核心原理是光電效應(yīng)（光子激發(fā)電子躍遷，產(chǎn)生可測(cè)電信...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-06-12 閱讀：650 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器

各種光電探測(cè)器的性能比較和應(yīng)用選擇

（1）各種光電探測(cè)器的性能比較在動(dòng)態(tài)特性（即頻率響應(yīng)與時(shí)間響應(yīng)）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為最好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為最好；在靈敏度方...

分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2008-12-06 閱讀：6826 關(guān)鍵詞：各種光電探測(cè)器的性能比較和應(yīng)用選擇光電探測(cè)器

光學(xué)系統(tǒng)與光電探測(cè)器

光電儀器研發(fā)的前提是社會(huì)需求，設(shè)計(jì)者把需求轉(zhuǎn)化成儀器的質(zhì)量指標(biāo)和設(shè)計(jì)參數(shù)通過相關(guān)的資料、專利、文獻(xiàn)的查詢和必要的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，然后進(jìn)行總體設(shè)計(jì)（或綜合化設(shè)計(jì)）。盡管現(xiàn)代光電儀器是多個(gè)高新技術(shù)的綜合體，但作...

分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2008-12-06 閱讀：2367 關(guān)鍵詞：光學(xué)系統(tǒng)與光電探測(cè)器電探測(cè)器

光電探測(cè)器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性

為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率，可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1（b）可以看出，勢(shì)能極小值脫離了界面進(jìn)入了體內(nèi)，避免了表面態(tài)的影響，...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：2961 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性探測(cè)器

光電探測(cè)器陣列CCD攝像器件

目前廣泛使用的攝像器件是CCD型攝像器件。CCD于1970年由貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明［82］，此后關(guān)于CCD的研究蓬勃發(fā)展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um減小到了1995年的5 gm，像素單元也從最早的不足2000增加到兩千六百多萬［83...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：3113 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器陣列CCD攝像器件MOSFET探測(cè)器

光電探測(cè)器陣列攝像器件的像素基本結(jié)構(gòu)

將多個(gè)PN型光電探測(cè)器組成陣列，可以形成光電成像系統(tǒng)中的攝像器件。攝像器件的功能是將照射到探測(cè)器陣列上的光學(xué)圖像信息以電信號(hào)形式按時(shí)序串行輸出。常見的固體攝像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide Semico...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：3029 關(guān)鍵詞：光電探測(cè)器陣列攝像器件的像素基本結(jié)構(gòu)DEVICESEMICONDUCTORCMOSCOMPLEMENTARY探測(cè)器

工藝下集成光電探測(cè)器

集成的探測(cè)器BiCMOS工藝僅僅是為了制作集成性能更好的光電探測(cè)器；其中電路部分則不是決定性的因素?！　D1 基于標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極管　　圖1中介紹了—種基于0.6 gm標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：2258 關(guān)鍵詞：工藝下集成光電探測(cè)器探測(cè)器

空間調(diào)制光電探測(cè)器

一種利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的旨在消除緩慢載流子擴(kuò)散對(duì)探測(cè)器頻率響應(yīng)產(chǎn)生影響的空間調(diào)制光電探測(cè)器（Spatially-Modulated-Light Detector）結(jié)構(gòu)被提出[57]，如圖1（a）所示。由N+擴(kuò)散和N阱形成六個(gè)叉指探測(cè)區(qū)域，N+...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：2698 關(guān)鍵詞：空間調(diào)制光電探測(cè)器CMOS探測(cè)器

工藝參數(shù)下光電探測(cè)器的器件模擬

圖1 TSMC 0.35pm CMOS工藝參數(shù)下光電探測(cè)器的器件模擬　　圖1（a）模擬了工作二極管響應(yīng)電流與外加反壓的關(guān)系曲線，三條曲線分別為無光照、光照強(qiáng)度分別為1WZcm2、25w/cm2，光波長(zhǎng)為0.85gm時(shí)工作二極管的響應(yīng)電流...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：2800 關(guān)鍵詞：工藝參數(shù)下光電探測(cè)器的器件模擬LUCENTCMOS探測(cè)器

二維器件模擬光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)

圖1給出了在器件模擬軟件Atlas中輸入的器件結(jié)構(gòu)、外加電壓示意圖和經(jīng)二維模擬得出的pn結(jié)的位置和耗盡區(qū)位置［56］，從圖可見，N阱與P＋區(qū)構(gòu)成一個(gè)二極管，稱為工作二極管D。；N阱與襯底構(gòu)成一個(gè)二極管，稱為屏蔽二極...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-02 閱讀：1982 關(guān)鍵詞：二維器件模擬光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)CMOS探測(cè)器

基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器

CM0S工藝是最為重要的微電子制造技術(shù)，具有廉價(jià)、可批量制造、成品率高等優(yōu)點(diǎn)。早期的CMOS工藝通常采用單阱工藝，單阱工藝只含一個(gè)阱（N阱或者P阱）。若為P型襯底則將NMOS直接制作在襯底上，而將PMOS寺刂作在N阱中；...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：3874 關(guān)鍵詞：基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器SILICONCMOSLATCH探測(cè)器

集成光電探測(cè)器彩色傳感器

圖1給出了一種基于透射深度相關(guān)的強(qiáng)波長(zhǎng)全硅彩色傳感器結(jié)構(gòu)陽。彩色傳感器與所必需的電信號(hào)處理電路以雙極工藝集成在一起?！　+-N型光電二極管采用在電阻率p＝6Ω·cm的N型外延層上注入硼形成。光電二極管的P＋陽...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：2193 關(guān)鍵詞：集成光電探測(cè)器彩色傳感器傳感器

基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器

目前，長(zhǎng)距離通信用的光接收器探測(cè)器都是用III-V族化合物材料制作的，其傳輸速率已經(jīng)超過了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC價(jià)格昂貴，對(duì)于短距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用，例如局域網(wǎng)、光纖入戶和板級(jí)光互連等并不...

分類：光電顯示/LED照明 時(shí)間：2008-12-01 閱讀：1834 關(guān)鍵詞：基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器CMOS探測(cè)器