圖1給出了在器件模擬軟件Atlas中輸入的器件結(jié)構(gòu)、外加電壓示意圖和經(jīng)二維模擬得出的pn結(jié)的位置和耗盡區(qū)位置［56］，從圖可見，N阱與P＋區(qū)構(gòu)成一個二極管，稱為工作二極管D。；N阱與襯底構(gòu)成一個二極管，稱為屏蔽二極管Ds；在襯底深處的光生載流子被屏蔽二極管的耗盡區(qū)所吸收，不能擴散到工作二級管內(nèi)；工作二極管內(nèi)沒有長距離擴散的光生載流子，只有N阱內(nèi)短途擴散的載流子，從而提高了工作二極管的速度。從圖中可以看出N阱上的耗盡區(qū)即P＋和N阱形成的耗盡區(qū)越大，工作二極管D。光生載流子中擴散成分越小，速度越高，這要求N阱的摻雜水平與襯底相當以獲得輕摻雜的I區(qū)，但這在實際的CMOS工藝中是很難做到的。另外，制作二極管的N阱上不要有調(diào)整柵開啟電壓的摻雜工藝，這要靠版圖設(shè)計中掩蔽此工藝來實現(xiàn)。

　　圖1  二維器件模擬光電探測器的結(jié)構(gòu)

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