目前，長距離通信用的光接收器探測器都是用III-V族化合物材料制作的，其傳輸速率已經(jīng)超過了40 Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC價格昂貴，對于短距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用，例如局域網(wǎng)、光纖入戶和板級光互連等并不適合。隨著信息技術(shù)的不斷進(jìn)步，對于光信息存儲、光數(shù)據(jù)傳輸?shù)葢?yīng)用，需要有大量低成本的光電集成電路（OEIC）投入使用。利用普通的硅基集成電路生產(chǎn)技術(shù)，在對這些工藝幾乎不作改動或者是僅僅作微小調(diào)整的基礎(chǔ)上，將光電子器件與電信號處理電路集成在一起，無疑是為理想的光電集成方式。目前硅基集成電路技術(shù)主要可分為雙極bipolar、CMOS及BiCMOS工藝。本節(jié)介紹利用雙極工藝實現(xiàn)的硅基光電探測器，下節(jié)介紹CMOS和BiCMOS工藝實現(xiàn)的硅基光電探測器。在介紹完標(biāo)準(zhǔn)硅基集成電路工藝實現(xiàn)的光電探測器后，我們通過改變襯底濃度或是對標(biāo)準(zhǔn)工藝進(jìn)行適當(dāng)改正，以試圖提高這些光電探測器的性能。

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