集成的探測器BiCMOS工藝僅僅是為了制作集成性能更好的光電探測器；其中電路部分則不是決定性的因素。

　　圖1  基于標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極管

　　圖1中介紹了—種基于0.6 gm標(biāo)準(zhǔn)SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極管結(jié)構(gòu)［71］。N＋埋層集電極用來做探測器的陰極，陽極由P＋源/漏注入形成，工藝中的N阱則用來形成PIN光電二極管的I層，其厚度僅有0.7 gm，因此，該探測器的量子效率不會太高。入射光波長為850 nm時(shí)，響應(yīng)度只有0.07 A/W。對于波長較小的入射光，由于其滲透深度較淺，可能會獲得比較好的響應(yīng)度指標(biāo)。面積為75×15 p.m-2的光電二極管加上2.5V的反向偏壓后，可以測得3 dB帶寬達(dá)到700 MHz。整個(gè)單片光電集成接收器在10-9誤碼率要求下，比特率可以達(dá)到531 Mb/s，靈敏度達(dá)到-14.8 dBm。集成接收器速率受到探測器的電容和跨阻抗前置放大器的反饋電阻限制。

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