空間調(diào)制光電探測(cè)器
出處:kapo 發(fā)布于:2008-12-02 10:42:43
一種利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的旨在消除緩慢載流子擴(kuò)散對(duì)探測(cè)器頻率響應(yīng)產(chǎn)生影響的空間調(diào)制光電探測(cè)器(Spatially-Modulated-Light Detector)結(jié)構(gòu)被提出[57],如圖1(a)所示。由N+擴(kuò)散和N阱形成六個(gè)叉指探測(cè)區(qū)域,N+擴(kuò)散是為了減小接觸電阻,3.5 gm厚的輕摻雜N阱作為吸收層,輕摻雜是為了增大耗盡層寬度同時(shí)使寄生電容減小。六個(gè)叉指探測(cè)區(qū)域中的三個(gè)被金屬層覆蓋以阻擋入射光,這三個(gè)叉指用金屬連在一起作為“慢”探測(cè)器(Deferred Detector),剩下的三個(gè)也用金屬連在一起作為“快”探測(cè)器(Immediate Detector)。整個(gè)探測(cè)器面積為70 gm×70 gm,當(dāng)入射光照射到探測(cè)器表面時(shí),“慢”探測(cè)器的表面由于被金屬層覆蓋而使光不能透射,入射光只在“快”探測(cè)器區(qū)域被吸收產(chǎn)生光生載流子,即載流子的分布被“慢”探測(cè)器表面覆蓋金屬“調(diào)制”了,如圖1(b)所示。設(shè)在宀勾時(shí)刻一束持續(xù)時(shí)間很短的脈沖光入射到探測(cè)器表面,這時(shí)“快”探測(cè)器區(qū)域產(chǎn)生了許多光生載流子,而“慢”探測(cè)器區(qū)域并無載流子分布。這些光生載流子可以分為兩部分,一部分為在耗盡區(qū)內(nèi),另一部分在耗盡區(qū)外。耗盡區(qū)內(nèi)產(chǎn)生的載流子耗盡區(qū)電場(chǎng)作用下快速漂移到“快”探測(cè)器電極,而耗盡區(qū)外產(chǎn)生的載流子一部分向“快”探測(cè)器區(qū)域擴(kuò)散,另一部分則向“慢”探測(cè)器區(qū)域擴(kuò)散。經(jīng)過一小段時(shí)間后在t=t1時(shí)刻,“慢”探測(cè)器區(qū)域也會(huì)有擴(kuò)散進(jìn)來的載流子,同時(shí)“快”探測(cè)器區(qū)域的載流子由于擴(kuò)散和漂移使載流子數(shù)目減少。隨著擴(kuò)散的繼續(xù),“快”探測(cè)器區(qū)域的載流子逐漸減少,“J漫”探測(cè)器區(qū)域載流子逐漸增加。在t=t3免時(shí)刻兩個(gè)區(qū)域的載流子數(shù)目接近相同,由于快、慢兩個(gè)區(qū)域的載流子分布相同故這時(shí)候載流子已經(jīng)不再被調(diào)制了,定義Δt=t3-tO為載流子調(diào)制時(shí)間。此后兩個(gè)區(qū)域的載流子或者由于復(fù)合而消失,或者由于擴(kuò)散到耗盡區(qū)邊界而在耗盡區(qū)電場(chǎng)作用下向外電極漂移,從而分別被兩個(gè)探測(cè)器探測(cè)到。因此在t=t4時(shí)刻兩個(gè)區(qū)域的載流子數(shù)目都較小,如圖1(c)所示。

圖1 SML光電探測(cè)器
通過以上對(duì)載流子分布的分析,我們可以發(fā)現(xiàn)“快”探測(cè)器收集到的載流子既含有漂移成分又含有擴(kuò)散成分,“慢”探測(cè)器收集到的載流子只含有擴(kuò)散成分。如果我們將“快”探測(cè)器產(chǎn)生的光電流減去“慢”探測(cè)器產(chǎn)生的光電流,那么就能消除擴(kuò)散成分所帶來的不利影響,消除因擴(kuò)散成分產(chǎn)生的響應(yīng)電流的“拖尾”現(xiàn)象,從而提高速度。這樣相減的前提是由于探測(cè)器的pn區(qū)很厚(12 um),載流子的調(diào)制時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于載流子從產(chǎn)生到消失的時(shí)間,也即只有入射光照射后很短一段時(shí)間內(nèi)載流子分布才是被調(diào)制的。在載流子消失以前,這些載流子早己在兩個(gè)快、慢區(qū)域濃度梯度分布均勻了。從兔時(shí)刻到載流子消失這段長(zhǎng)時(shí)間里,兩個(gè)區(qū)域的載流子運(yùn)動(dòng)過程是類似的,都需要通過漫長(zhǎng)的擴(kuò)散才能到達(dá)外電極產(chǎn)生光電流。由此兩個(gè)探測(cè)器電流,相減得到的有效探測(cè)電流消除了在毛時(shí)刻以后漫長(zhǎng)的載流子擴(kuò)散時(shí)間,對(duì)探測(cè)器速度造成的影響。
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.hbjingang.com)
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- LED照明技術(shù)特性與選型運(yùn)維指南2026/1/5 10:26:27
- 工業(yè)觸摸屏選型與現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)指南2025/12/22 11:44:57
- 顯示器色深 6Bit、8Bit、10Bit 與 6 抖 8、8 抖 10、FRC2025/8/28 15:29:32
- Micro-LED技術(shù)解析2025/8/26 17:21:56
- LED顯示屏標(biāo)清、高清、超清、1080P與4K的解析2025/8/8 17:05:00
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









