光電探測器陣列CCD轉(zhuǎn)移特性

出處：yh21ic 發(fā)布于：2008-12-02 11:30:48

　　為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉(zhuǎn)移效率，可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉(zhuǎn)移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1（b）可以看出，勢能極小值脫離了界面進(jìn)入了體內(nèi)，避免了表面態(tài)的影響，因此大大提高了轉(zhuǎn)移效率。

　　圖1 CCD轉(zhuǎn)移特性

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