Diodes發(fā)布全新20V NPN及PNP雙極晶體管

Diodes公司推出全新20VNPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì)(5matrixemitterBipolarproces

分類：元器件應(yīng)用 時間：2010-07-20 閱讀：3160 關(guān)鍵詞：Diodes發(fā)布全新20V NPN及PNP雙極晶體管晶體管

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊使用注意事項(xiàng)

1.IGBT模塊的選擇在使用IGBT模塊的場合，選擇何種電壓，電流規(guī)格的IGBT模塊，需要做周密的考慮。a.電流規(guī)格IGBT模塊的集電極電流增大時，VCE(-)上升，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時，開關(guān)損耗增大，原件發(fā)熱加劇。因...

分類：基礎(chǔ)電子 時間：2008-10-20 閱讀：2135 關(guān)鍵詞：IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊使用注意事項(xiàng)

新型絕緣柵雙極晶體管IGBT驅(qū)動芯片MC33153

IGBT（IsolateGateBipolarTransistor）是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管工作電壓高、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾kHz

分類：基礎(chǔ)電子 時間：2008-10-20 閱讀：8362 關(guān)鍵詞：新型絕緣柵雙極晶體管IGBT驅(qū)動芯片MC33153IR2110EXB841MC33153M57962

PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器絕緣柵雙極晶體管IGBT

絕緣柵雙極晶體管IGBT（Insu1ated Gate Bipolar Transistor）是一種新型的復(fù)合功率開關(guān)器件。如圖（a）為IGBT芯片的基本結(jié)構(gòu)圖，可以看出 ，IGBT比N型溝道的MOSFET多一個P＋層?！　GBT的特點(diǎn)如下。　?。?）IGBT是...

分類：電源技術(shù) 時間：2008-10-07 閱讀：2657 關(guān)鍵詞：PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器絕緣柵雙極晶體管IGBTDC/DC／轉(zhuǎn)換器

ST推出一系列新型的絕緣柵雙極晶體管STGxL6NC60D

近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D600VPowerMESH），用于工作頻率超...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-05-16 閱讀：1327 關(guān)鍵詞：ST推出一系列新型的絕緣柵雙極晶體管STGxL6NC60D

Zetex新型低電壓雙極晶體管有助提升功率密度

仿真信號處理及功率管理方案供貨商ZetexSemiconductors，推出一系列新型低電壓雙極晶體管。它們可擴(kuò)大SOT23封裝的電流處理效能，可取代體積更大的等效SOT89和SOT223零件，有助設(shè)計(jì)人員縮減產(chǎn)品尺寸。Zetex善用了其先...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-12 閱讀：1816 關(guān)鍵詞：Zetex新型低電壓雙極晶體管有助提升功率密度ZXTN23015CFHZXTN25020DFHZXTP23015CFHZXTP25040DFH

Zetex 推出低壓雙極晶體管縮減產(chǎn)品尺寸

ZetexSemiconductors推出一系列低壓雙極晶體管。新器件不僅能夠提高SOT23封裝的電流處理能力，還能替代體積較大的SOT89和SOT223等效元件，有助于設(shè)計(jì)人員縮減產(chǎn)品尺寸。Zetex憑借其先進(jìn)的引線架設(shè)計(jì)及雙極工藝能力，...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-12 閱讀：1298 關(guān)鍵詞：Zetex 推出低壓雙極晶體管縮減產(chǎn)品尺寸ZXTN23015CFHZXTN25020DFHZXTP23015CFHZXTP25040DFH

ZetexSOT23雙極晶體管省八成PCB空間

Zetex近日推出全新SOT23封裝式雙極晶體管系列。新組件的面積僅2.5x3.05毫米，相較面積6.7x7.3毫米的SOT223組件能縮減近80％的印刷電路板空間，并達(dá)到相同的電流處理效能，最適合用以驅(qū)動功率MOSFET、IGBT、直流馬達(dá)...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-05 閱讀：1830 關(guān)鍵詞：Zetex最新SOT23雙極晶體管省八成PCB空間SOT223ZXTN2020FSOT23

Zetex新款雙極晶體管可節(jié)省八成電路板空間

Zetex推出新款的SOT23封裝式雙極晶體管系列，此系列組件的面積僅2.5x3.05毫米，可達(dá)到與SOT223封裝相同的電流處理效能，成功節(jié)省八成以上的電路板空間。首批產(chǎn)品為六款微型組件，包括NPN及PNP晶體管各三款，額定值分...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-05 閱讀：1706 關(guān)鍵詞：Zetex新款雙極晶體管可節(jié)省八成電路板空間SOT223ZXTN2020FSOT23

ST推出專用于焊接設(shè)備的混合雙極晶體管

意法半導(dǎo)體(ST)推出混合發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管(ESBT)——STE50DE100。該器件專門設(shè)計(jì)用于焊接設(shè)備，包括加熱系統(tǒng)和音頻放大器的功率因素修正。STE50DE100晶體管能承受1000V的集電極-源極電壓與50A的集電極電流，有助...

分類：電源技術(shù) 時間：2007-12-04 閱讀：2201 關(guān)鍵詞：ST推出專用于焊接設(shè)備的混合雙極晶體管STE50DE100

Zetex中電壓雙極晶體管有效提升電路功率密度（圖）

Zetex Semiconductors推出一系列采用SOT23封裝的中電壓雙極晶體管,可以處理達(dá)1.25W的功耗。新系列包括七款NPN和六款PNP器件,面積為3×2.5mm,可以取代體積更大的DPAK、SOT89和SOT223封裝的器件,從而提升電路的功率密...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-11-28 閱讀：1588 關(guān)鍵詞：Zetex中電壓雙極晶體管有效提升電路功率密度（圖）SOT223SOT23

高增益低飽和電壓低壓功率雙極晶體管

8月7日訊，意法半導(dǎo)體(STM)今天推出兩款電流-增益特性優(yōu)異、超低集電極-發(fā)射極飽和電壓和開關(guān)速度快的低壓功率雙極晶體管STSA851和STN851。兩款器件瞄準(zhǔn)應(yīng)急照明和汽車應(yīng)用，同樣也適用于電壓調(diào)節(jié)器、冷陰極熒光照明...

分類：電源技術(shù) 時間：2007-09-30 閱讀：2442 關(guān)鍵詞：高增益低飽和電壓低壓功率雙極晶體管TO-92STN851STSA851SOT-223STSA851-AP