導(dǎo)讀：日前，意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布能夠提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率的3STL2540,同時兼具同級MOSFET的能效。

　　意法半導(dǎo)體（ST）的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢和硅面積使用效率，不僅兼具同級MOSFET的能效，還為設(shè)計人員提供一個節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器（DC-DC converters）轉(zhuǎn)換解決方案。

　　3STL2540的性能指標：

　　●結(jié)晶體管：-40V/~5A PNP

　　●壓降：200mV

　　●基極電流：10mA

　　●導(dǎo)通電阻：90mΩ

　　●寬輸出電壓：0.2~10V

　　●溫度：-30℃~150℃

　　●封裝PowerFLAT:0.6mm

　　●封裝面積：2mm x 2mm

　　3STL2540的技術(shù)是意法半導(dǎo)體的先進的雙金屬層平面基島工藝，它的連續(xù)高電流增益 （consistently high current gain,hFE）至少保持在100,創(chuàng)下業(yè)內(nèi)這類器件的導(dǎo)通損耗記錄。3STL2540是一款接近同等級超級邏輯電平MOSFET的性能。

　　3STL2540的供貨情況：

　　3STL2540采用高熱效率封裝PowerFLAT僅0.6mm高，封裝面積為2mm x 2mm.

　　3STL2540現(xiàn)已正式投入量產(chǎn)。