簡介

　　雙極型晶體管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。同場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管開關(guān)速度快，但輸入阻抗小，功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高，已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、計算機、自控裝置、電子儀器、家用電器等領(lǐng)域，起放大、振蕩、開關(guān)等作用。晶體管：用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。雙極型晶體管比電子管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高、已逐步取代電子管。雙極型晶體管已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達(dá)、電子計算機、自動控制裝置、電子儀器、家用電器等各個領(lǐng)域。

　　通過推出BISS（突破性小信號）晶體管系列，恩智浦半導(dǎo)體取得了市場領(lǐng)導(dǎo)地位。第四代BISS晶體管（BISS 4,表1）的全新架構(gòu)是SMD中功率雙極晶體管技術(shù)發(fā)展的里程碑，有力拓寬了雙極晶體管的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　兩種產(chǎn)品類型--系列產(chǎn)品的架構(gòu)和技術(shù)規(guī)格

　　由于雙極晶體管電阻受多重因素影響，開發(fā)新型中功率雙極晶體管需要認(rèn)真評估完整的晶體管架構(gòu)（選材、芯片設(shè)計、芯片金屬化、芯片/封裝連接和封裝架構(gòu)）。第四代BISS雙極晶體管系列共分兩類。

　　類是超低VCEsat雙極晶體管--旨在降低飽和電阻RCEsat.這也是此類產(chǎn)品架構(gòu)設(shè)計時遵循的理念（芯片設(shè)計、半導(dǎo)體襯底電阻、芯片金屬化、芯片/封裝連接），其目的就是在SMD封裝結(jié)構(gòu)中獲得14 mΩ的低飽和電阻。

　　第二類是高速開關(guān)類雙極晶體管，除降低飽和電阻RCEsat外，此類器件還需要在快速開關(guān)和存儲時間ts（大約140 ns）方面進(jìn)行改進(jìn)，以滿足高頻應(yīng)用需求。此類器件需要在規(guī)定的電阻和開關(guān)時間之間獲取平衡，滿足相關(guān)設(shè)計特性的要求。

　　這兩類晶體管都非常重視產(chǎn)品封裝，標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝形式包括：SOT23、SOT457/SC-74、SOT223、SOT89和SOT96/SO-8.這一理念不僅能夠滿足客戶多樣化的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用需求，同時也為量產(chǎn)提供了保證。

　　恩智浦此次針對通信和汽車電子領(lǐng)域推出了20 - 60 V產(chǎn)品，今后還有望開發(fā)出20 - 100 V的雙極晶體管。

　　產(chǎn)品設(shè)計

　　這兩類晶體管產(chǎn)品（符合汽車應(yīng)用的AECQ-101標(biāo)準(zhǔn)）采用不同的架構(gòu)和設(shè)計方法以滿足不同的設(shè)計考量和技術(shù)規(guī)范要求。我們需要了解的是產(chǎn)品中哪些元件會對電阻和飽和電壓造成影響，影響的程度有多大，以及哪些措施會影響開關(guān)時間特性

　　影響飽和電壓的主要因素是電阻電壓降以及復(fù)合和注入元件。由于復(fù)合和注入電壓總和相對輕微，因此重點需要注意電阻元件，主要包括半導(dǎo)體襯底電阻、芯片設(shè)計以及封裝和互連技術(shù)的電阻。