絕緣柵雙極晶體管IGBT（Insu1ated Gate Bipolar Transistor）是一種新型的復(fù)合功率開關(guān)器件。如圖（a）為IGBT芯片的基本結(jié)構(gòu)圖，可以看出 ，IGBT比N型溝道的MOSFET多一個(gè)P＋層。

　　IGBT的特點(diǎn)如下。

　　（1）IGBT是一種電壓控制的功率開關(guān)器件：IGBT等效于用MOSFET做驅(qū)動(dòng)級(jí)的一種壓控功率開關(guān)器件。

　　（2）IGBT比MOSFET的耐壓高，電流容量大：IGBT導(dǎo)通時(shí)正載流子從P＋層流人N型區(qū)并在N型區(qū)積蓄，加強(qiáng)了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，這就使IGBT在導(dǎo)通時(shí) 呈現(xiàn)的電阻比高壓（300V以上）MOSFET低得多，因而IGBT容易實(shí)現(xiàn)高壓大電流。前級(jí)是個(gè)電流較小的MOSFET，允許導(dǎo)通電阻較大，Nˉ層可以適當(dāng) 地加厚，耐壓可以提高。

　　（3）開通速度比MOSFET快：由于IGBT中小電流MOSFET的開通速度很快，在開通之初后級(jí)PNP型晶體管的基極電流上升很快，使IGBT的開通速度不 但比雙極性晶體管快，而且開通延遲時(shí)間td（on）比同容量的MOSFET還短。

　　（4）關(guān)斷速度比MOSFET慢：雖然IGBT中前級(jí)MOSFET的關(guān)斷速度很快，但后級(jí)PNP型晶體管是少子功率的開關(guān)器件，少數(shù)載流子要有復(fù)合、擴(kuò)散和 消失的時(shí)間，在電流迅速下降到約1/3時(shí)，下降速度明顯變慢，俗稱“拖尾”。后級(jí)PNP型管的集一射極之間有基一射極PN結(jié)壓降和MOSFET的壓 降，故集一射極不進(jìn)入深飽和狀態(tài)，關(guān)斷速度較快。隨著生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，關(guān)斷速度也有明顯的提高。

　　IGBT的輸出特性如圖（d）所示，為低壓區(qū)輸出特性。

　　如圖 IGBT開關(guān)管

　　（1）電壓型控制特性。

　　（2）即使在集電極電流Ic很小時(shí)，UCE也只少有一個(gè)PN結(jié)的壓降（約0.7V），這就是IGBT為什么不做成低壓開關(guān)器件的原因。

　　（3）雖然柵極電壓UCE不很大（如7V），也能輸出一定的集電極電流Ic但通態(tài)壓降UCE（on）較大。當(dāng)柵極電壓UCE增大到15V時(shí)，通態(tài)壓降UCE（on）明顯減小。