IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊使用注意事項
出處:lunwen2005 發(fā)布于:2008-10-20 16:01:06
1. IGBT模塊的選擇
在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規(guī)格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。
a. 電流規(guī)格
IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,原件發(fā)熱加劇。因此,根據(jù)額定損耗,開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控制器件結(jié)溫(Tj)在 150oC以下(通常為安全起見,以125oC以下為宜),請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱也加劇,需十分注意。
一般來說,要將集電極電流的值控制在直流額定電流以下使用,從經(jīng)濟角度這是值得推薦的。
b.電壓規(guī)格
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系列于表1。根據(jù)使用目的,并參考本表,請選擇相應(yīng)的元件。
元器件電壓規(guī)格
600V
1200V
1400V
電源
電壓
200V;220V;230V;240V
346V;350V;380V;400V;415V;440V
575V
2. 防止靜電
IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導(dǎo)致?lián)p壞的危險,因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點請注意。
在使用裝置的場合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(珊極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止這類損壞情況發(fā)生,應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kW左左的電阻為宜。
此外,由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu),對于靜電就要十分注意。因此,請注意下面幾點:
1) 在使用模塊時,手持分裝件時,請勿觸摸驅(qū)動端子部份。
2) 在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動端子的模塊時,在配線未布好之前,請先不要接上模塊。
3) 盡量在底板良好接地的情況下操作。
4) 當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。
5) 在焊接作業(yè)時,焊機與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將焊機處于良好的接地狀態(tài)下。
6) 裝部件的容器,請選用不帶靜電的容器。
3.并聯(lián)問題
用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時,可以使用多個器件并聯(lián)。
并聯(lián)時,要使每個器件流過均等的電流是非常重要的,如果一旦電流平衡達到破壞,那么電過于集中的那個器件將可能被損壞。為使并聯(lián)時電流能平衡,適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并聯(lián)是很重要的。
4.其他注意事項
1) 保存半導(dǎo)體原件的場所的溫度,溫度,應(yīng)保持在常溫常濕,不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5-35℃,常濕的規(guī)定為45—75%左右。
2) 開、關(guān)時的浪涌電壓等的測定,請在端子處測定。
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)(www.hbjingang.com)
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET在汽車電子中的應(yīng)用要求2026/4/16 14:02:53
- 通信設(shè)備電源管理IC應(yīng)用解析2026/4/16 13:55:54
- 通信設(shè)備連接器選型與設(shè)計2026/4/16 13:50:06
- 同步整流中MOSFET的應(yīng)用要點2026/4/15 14:20:25
- 輸出短路對電源芯片的影響2026/4/15 14:14:07









