冷卻 MOSFET 以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)系統(tǒng)的最佳性能

MOSFET 在靜態(tài)狀態(tài)下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相當(dāng)高。然而，如果以動(dòng)態(tài)方式推動(dòng)它們，它們的效率可能會(huì)降低，并且損失的功率肯定會(huì)增加。SPICE 的軟件實(shí)現(xiàn)...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-11-10 閱讀：781 關(guān)鍵詞：MOSFET

加速度計(jì)不移動(dòng)時(shí)輸出什么？零重力偏差

零重力偏置水平指定設(shè)備未施加加速度時(shí)的傳感器輸出電壓?！　〖铀俣扔?jì)的實(shí)際零重力水平可能與標(biāo)稱值略有不同。與理想零重力水平的偏差通常在加速度計(jì)數(shù)據(jù)表中指定為零重力...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-11-09 閱讀：869 關(guān)鍵詞：加速度計(jì)

TI - 具備簡(jiǎn)易設(shè)計(jì)、低漂移和小尺寸的集成分流器解決方案

在自動(dòng)化、便捷性和可持續(xù)性需求的推動(dòng)下，電氣化的進(jìn)步需要更多的傳感器、電力電子設(shè)備和處理器來可靠、準(zhǔn)確地感知周圍環(huán)境并做出反應(yīng)。不斷尋找如何縮小解決方案的尺寸、...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-11-10 閱讀：585 關(guān)鍵詞：集成分流器

MEMS 加速度計(jì)頻率響應(yīng)和帶寬規(guī)格

MEMS 加速度計(jì)由幾個(gè)不同的機(jī)械和電氣元件組成。這些組件中的每一個(gè)都對(duì)整體傳輸函數(shù)有貢獻(xiàn)，并且可以限制整體系統(tǒng)帶寬?！　≡诒疚闹校覀儗⒀芯抠|(zhì)量-彈簧-阻尼器系統(tǒng)（...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-11-07 閱讀：1305 關(guān)鍵詞：電子

硅光電倍增管 (SiPM) 結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用

硅光電倍增管 (SiPM) 是一種固態(tài)高增益輻射探測(cè)器，可在吸收光子時(shí)產(chǎn)生輸出電流脈沖。這些基于 PN 結(jié)的傳感器具有單光子靈敏度，可以檢測(cè)從近紫外 (UV) 到近紅外 (IR) 的光...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-11-03 閱讀：1842 關(guān)鍵詞：硅光電倍增管

單通道激光二極管驅(qū)動(dòng)器

ISL58214 是一款高度集成的激光二極管驅(qū)動(dòng)器，旨在支持激光束掃描 MEMS 投影儀。它采用單 5V 模擬電源供電，可直接驅(qū)動(dòng)陰極接地激光器或陽極連接到高壓電源的浮動(dòng)激光器。I...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-10-19 閱讀：1004 關(guān)鍵詞：二極管驅(qū)動(dòng)器

IGBT 應(yīng)用筆記

利用IGBT高速、低飽和電壓特性的應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速擴(kuò)大。它包括工業(yè)應(yīng)用，例如太陽能系統(tǒng)逆變器和不間斷電源 (UPS)，以及消費(fèi)類應(yīng)用，例如等離子顯示面板 (PDP) 中的照明控...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-10-13 閱讀：1329 關(guān)鍵詞：IGBT

IGBT / MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-10-10 閱讀：1109 關(guān)鍵詞：MOSFET

功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明

本應(yīng)用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機(jī)制和對(duì)策及其應(yīng)用和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。　　電氣特性定義及使用說明　　　功率 MOSFET 絕對(duì)...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-10-10 閱讀：439 關(guān)鍵詞：MOSFET

MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)器理論與應(yīng)用

MOSFET 和 IGBT 技術(shù)　　由于不存在少數(shù)載流子傳輸，MOSFET 可以以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)。對(duì)此的限制由兩個(gè)因素決定：電子穿過漂移區(qū)的傳輸時(shí)間以及對(duì)輸入柵極和米勒電容充電...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-10-08 閱讀：779 關(guān)鍵詞：IGBT

半導(dǎo)體功率器件的無鉛回流焊

無鉛焊料通常是錫/銀 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的變體。影響焊接工藝的主要區(qū)別是 Sn/Ag 焊料比 Sn/Pb 焊料具有更高的熔點(diǎn)。Sn/Ag 共晶 (96.5Sn/3.5Ag) 的熔點(diǎn)比 Sn/Pb ...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-27 閱讀：721 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體功率器件

設(shè)計(jì)晶體振蕩器

本教程重點(diǎn)介紹有關(guān)石英晶體的所有內(nèi)容，石英晶體是電子領(lǐng)域最廣泛使用的材料之一。還討論了它的屬性、為什么它在某些設(shè)備上高度適用以及它在某些條件下的行為方式。特別是...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-25 閱讀：825 關(guān)鍵詞：晶體振蕩器

功率 MOSFET、其電氣特性定義

本應(yīng)用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機(jī)制和對(duì)策及其應(yīng)用和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。 電氣特性定義及使用說明 功率 MOSFET 絕對(duì)最...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-20 閱讀：564 關(guān)鍵詞：MOSFET

小型高壓轉(zhuǎn)換器？

從低輸入電壓產(chǎn)生高輸出電壓是小尺寸電源裝置為小工具甚至高功耗機(jī)器供電的原理。這是一種重要的設(shè)計(jì)架構(gòu)，特別是對(duì)于具有許多功能但需要盡可能小的設(shè)備尺寸的嵌入式系統(tǒng)而...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-20 閱讀：501 關(guān)鍵詞：高壓轉(zhuǎn)換器