通常，硅雙極二極管用于轉(zhuǎn)換器中。它們的反向恢復(fù)會在硬開關(guān)電路中的二極管和相應(yīng)晶體管中產(chǎn)生損耗 [1]；此外，它也可能是軟開關(guān)電路的限制因素[2]。我們付出了一些努力來優(yōu)化硅雙極二極管的行為 [3]，但不能超過物理極限。
　　本節(jié)簡要介紹了所用芯片的技術(shù)以及封裝中新芯片的組成部分。因此，它為理解本文主題的砷化鎵肖特基二極管的電氣行為提供了必要的信息。
　　使用砷化鎵（GaAs）基材。GaAs 中的電子遷移率是硅 (Si) 中的 5.6 倍，并且能帶隙更大，這導(dǎo)致與硅相比導(dǎo)通電阻顯著降低，或者換句話說，正向壓降更低 [6]。肖特基接觸僅使用多數(shù)載流子的優(yōu)點(diǎn)與高遷移率相結(jié)合，導(dǎo)致非?？斓拈_關(guān)行為。此外，由于能帶隙較大，擊穿的臨界電場高于硅，或者換句話說，GaAs肖特基二極管的阻斷電壓能力高于具有可比正向電壓的Si肖特基二極管。，電氣參數(shù)的溫度依賴性很小。
　　靜態(tài)特性是指導(dǎo)通和阻斷狀態(tài)。
　　圖 1 繪制了室溫和高溫下的導(dǎo)通狀態(tài)正向電壓?？紤]到該器件由于其卓越的動態(tài)行為而優(yōu)選用于高頻應(yīng)用，可以得出兩個結(jié)論：，正向電壓感興趣的工作電流范圍內(nèi)的電壓較低；其次，由于電流大于10A時，正向電壓溫度系數(shù)變?yōu)檎?，這些器件的并聯(lián)會自動對稱。

　　

　　圖 1 典型正向電流與電壓降的關(guān)系；水平：向上/V；垂直：Ip/A，25?C（點(diǎn)）、125?C（線）
　　動態(tài)特性
　　動態(tài)測量是通過低電感實驗裝置進(jìn)行的，特別考慮到的電流探測。其原理圖（硬換向斬波電路）如圖 2 所示。

　　

　　圖 2 實驗裝置示意圖
　　推出了一種新型砷化鎵肖特基二極管。與的雙極硅二極管相比，其在導(dǎo)通和開關(guān)方面的工作性能都非常出色。
　　這種類型的二極管預(yù)計將為新的轉(zhuǎn)換器設(shè)計做出重要貢獻(xiàn)：快速換向允許在具有更高開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換器中使用。二極管的低傳導(dǎo)損耗和高溫穩(wěn)定性支持了此類高端轉(zhuǎn)換器的小型化工作，從而允許分別使用小型芯片或封裝，從而減少空間、重量和冷卻費(fèi)用。