MOSFET 和 IGBT 技術(shù)
　　由于不存在少數(shù)載流子傳輸，MOSFET 可以以更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)。對(duì)此的限制由兩個(gè)因素決定：電子穿過(guò)漂移區(qū)的傳輸時(shí)間以及對(duì)輸入柵極和米勒電容充電和放電所需的時(shí)間。
　　IGBT 繼承了 MOSFET 和 BJT 的優(yōu)點(diǎn)。它作為 MOSFET 運(yùn)行，在其漏極側(cè)具有注入?yún)^(qū)，以提供漏極漂移區(qū)的電導(dǎo)率調(diào)制，從而降低導(dǎo)通狀態(tài)損耗，特別是與同等額定值的高壓 MOSFET 相比。
　　就驅(qū)動(dòng) IGBT 而言，它類(lèi)似于 MOSFET，因此為驅(qū)動(dòng) MOSFET 設(shè)計(jì)的所有導(dǎo)通和關(guān)斷現(xiàn)象注釋、圖表和驅(qū)動(dòng)電路同樣適用于 IGBT。因此，下文僅討論 MOSFET 模型。

　　圖 1 MOSFET 單元內(nèi)部結(jié)構(gòu)
　　集成電路驅(qū)動(dòng)器
　　盡管使用硬連線電子電路驅(qū)動(dòng) MOSFET/IGBT 的方法有很多種，但 IC 驅(qū)動(dòng)器提供的便利性和功能吸引了設(shè)計(jì)人員。重要的優(yōu)點(diǎn)是緊湊。IC 驅(qū)動(dòng)器本質(zhì)上提供較低的傳播延遲。由于所有重要參數(shù)均在 IC 驅(qū)動(dòng)器中指定，因此設(shè)計(jì)人員無(wú)需經(jīng)歷耗時(shí)的定義、設(shè)計(jì)和測(cè)試電路來(lái)驅(qū)動(dòng) MOSFET/IGBT 的過(guò)程。
　　可用于提升電流輸出的技術(shù)
　　具有 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 的圖騰柱級(jí)可用于提升 IC 驅(qū)動(dòng)器的輸出。缺點(diǎn)是信號(hào)反相，并且共柵電壓轉(zhuǎn)換時(shí)存在擊穿。
　　采用電荷泵和自舉方法
　　為了驅(qū)動(dòng)橋式拓?fù)?、降壓轉(zhuǎn)換器或 2 晶體管正激轉(zhuǎn)換器中采用的相腳中的上部 MOSFET/IGBT，不能直接使用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器。這是因?yàn)樯喜?MOSFET/IGBT 的源極/發(fā)射極未處于地電位。

　　

　　圖 2 基本電荷泵倍增器
　　圖 2 顯示了電荷泵如何創(chuàng)建更高的 Vcc 以用于上部 MOSFET/IGBT 的驅(qū)動(dòng)器 IC。這里，一對(duì) N 溝道和 P 溝道 MOSFET 充當(dāng)開(kāi)關(guān)，通過(guò)電容器和肖特基二極管交替將輸入電源電壓連接到輸出，將其隔離并幾乎加倍。采用數(shù)百kHz的開(kāi)關(guān)頻率，因此，低紋波隔離輸出電壓可作為上MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器的直流電源。
　　實(shí)際考慮
　　在設(shè)計(jì)和構(gòu)建 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須注意幾個(gè)實(shí)際問(wèn)題，以避免令人不快的電壓尖峰、振鈴振蕩和誤導(dǎo)通。通常，這些問(wèn)題是由于電源旁路、布局以及驅(qū)動(dòng)器與驅(qū)動(dòng) MOSFET/IGBT 不匹配不當(dāng)或不充分造成的。