東芝發(fā)布了其 TCTH0xxxE 多點(diǎn)過溫報(bào)警 IC 系列的承諾擴(kuò)展。
東芝發(fā)布了其 TCTH0xxxE 多點(diǎn)過溫報(bào)警 IC 系列的承諾擴(kuò)展。 這些簡單 IC（品牌為“Thermoflagger”）中的每一個(gè)都與一個(gè)或多個(gè) PTC（正溫度系數(shù)）熱敏電阻配合使用，以檢測 PCB 上的過溫情況，例如，可能感測多個(gè)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-15 閱讀：588 關(guān)鍵詞：IC
電壓調(diào)節(jié)器及其相應(yīng)的規(guī)格
MS Kennedy 提供多種電壓調(diào)節(jié)器，可用于許多不同的應(yīng)用。盡管每個(gè)產(chǎn)品線都有自己的優(yōu)點(diǎn)，但它們也有許多共同的優(yōu)點(diǎn)。例如，我們所有的穩(wěn)壓器均采用軍用密封包裝，并可根據(jù)軍用或工業(yè)規(guī)格進(jìn)行篩選。此外，大多數(shù)穩(wěn)壓...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-14 閱讀：1378 關(guān)鍵詞：電壓調(diào)節(jié)器
考慮到Si、SiC和GaAs的一般物理參數(shù)，SiC似乎是高頻功率器件的首選材料。它可以承受最高電場，從而使二極管具有非常高的擊穿電壓和低正向壓降。此外，它具有最低的熱阻，允許高通態(tài)電流密度。 然而，砷化鎵有一些...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-06 閱讀：1260 關(guān)鍵詞：肖特基二極管
所有高壓 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一樣嗎？
如果有足夠的時(shí)間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為一名工程師，您多久想要了解電路應(yīng)用中每個(gè)部件的行為方式？是的——檢查一下。半導(dǎo)體公司的模型通常是否真實(shí)代表了電...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-09-06 閱讀：616 關(guān)鍵詞：MOSFET
新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過典型...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-31 閱讀：617 關(guān)鍵詞： IGBT
功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了 IXYS 功率 MOSFET 數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文件介紹了基本的額定值和特性，例如溫度、能量、機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要描述了數(shù)據(jù)表中包...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-31 閱讀：480 關(guān)鍵詞：MOSFET
本應(yīng)用筆記解釋了 CDB150x-00 PFC 演示板中使用的升壓電感與電感器尺寸的影響。本文件還介紹了電感器所需浪涌功率的計(jì)算，其中必須將其乘以恒定功率和電感系數(shù) (CPLF)。 本應(yīng)用筆記解釋了 CDB150x-00 PFC 演示板...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-29 閱讀：509 關(guān)鍵詞：電感
TIA/EIA-485 和 TIA/EIA-422（也稱為 RS-485 和 RS-422）是電信行業(yè)協(xié)會(huì)/電子工業(yè)聯(lián)盟 (TIA/EIA) 發(fā)布的有線通信標(biāo)準(zhǔn)。它們使用差分信號(hào)在嘈雜的工業(yè)和工廠自動(dòng)化環(huán)境中實(shí)...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-23 閱讀：729 關(guān)鍵詞：RS – 485
線性穩(wěn)壓器是最具成本效益的電源構(gòu)建模塊之一。它們簡單的拓?fù)浜洼^小的占地面積使其成為預(yù)算設(shè)計(jì)和緊湊系統(tǒng)的絕佳選擇。存在三種不同類型的線性穩(wěn)壓器；標(biāo)準(zhǔn)、低壓差 (LDO) 和準(zhǔn) LDO。標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器提供最低的接地引腳...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-31 閱讀：333 關(guān)鍵詞：線性穩(wěn)壓器
本文討論 Allegro 的電流傳感器集成電路 (IC) 及其直流電流能力和保險(xiǎn)絲特性，以及 50 A 至 200 A 測量能力。它還具有兩種器件封裝（例如 LR 和 CB 封裝）、測試性能和布局指南。 Allegro MicroSystems, LLC 提供...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-23 閱讀：814 關(guān)鍵詞：電流傳感器
已知最常見的部件之一和最早的電子設(shè)備之一是功率二極管。其目的是限制電流在一個(gè)方向流動(dòng)的能力，同時(shí)阻止電流在另一個(gè)方向流動(dòng)。市場上有功率二極管，因?yàn)樗鼈儽仨氃试S在...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-09 閱讀：1113 關(guān)鍵詞：功率二極管
Linear Technology 的 LT1025 是另一種用于冷端補(bǔ)償?shù)膯纹鉀Q方案。AD849x 包括內(nèi)部放大器和 CJC 電路，而 LT1025 僅產(chǎn)生冷端補(bǔ)償電壓。該 IC 的功能框圖如圖 5 所示。 ...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-04 閱讀：1272 關(guān)鍵詞：LT1025
在功率逆變器應(yīng)用中使用 WBG 半導(dǎo)體時(shí)選擇柵極電阻器的注意事項(xiàng)
如果設(shè)計(jì)需要出色功率效率的電子應(yīng)用，請(qǐng)考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)。與傳統(tǒng)的電子開關(guān)硅解決方案相比，這些新的寬帶隙技術(shù)具有顯著的優(yōu)勢。它們...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-08-02 閱讀：1302 關(guān)鍵詞：柵極電阻器
ROHM - 大功率、低阻值檢流電阻器的基礎(chǔ)與應(yīng)用
檢流電阻器的基礎(chǔ)知識(shí) 電路中的電流檢測技術(shù)多種多樣。其中最簡單和最常見的方法之一是使用專用的檢流電阻器。如下圖所示，這種電阻器有兩種用法。其一是圖左側(cè)的分流配...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-31 閱讀：1320 關(guān)鍵詞：低阻值檢流電阻器
R&S BBA300 射頻放大器的軟件包允許用戶通過簡單的 Web GUI 設(shè)置偏置點(diǎn)和高功率輸出。BBA300-PK1 軟件選項(xiàng)提供對(duì)放大器廣泛參數(shù)集的訪問，可用于各種應(yīng)用，從 EMI 抗擾...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-28 閱讀：1100 關(guān)鍵詞：寬帶放大器
許多降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 IC 都采用電壓模式控制算法。因此，為了在連續(xù)導(dǎo)通模式下穩(wěn)定工作，應(yīng)用電路的輸出電容器通常采用高 ESR 鉭電容器，原因有兩個(gè)。ESR 產(chǎn)生的輸出紋波...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-25 閱讀：979 關(guān)鍵詞：電容器
該拓?fù)溆奢斎腚娙萜?CIN、兩個(gè) MOSFET 開關(guān) Q1 和 Q1、電源變壓器 T1、兩個(gè)鉗位二極管 D3 和 D4、兩個(gè)整流二極管 D1 和 D2 以及由 LO 和 Co 組成的輸出濾波器組成。 下...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-24 閱讀：971 關(guān)鍵詞：DSP
BJT 仍在使用，但晶體管領(lǐng)域目前由 MOSFET 主導(dǎo)。這些是場效應(yīng)晶體管 (FET)，在導(dǎo)電控制端子（稱為柵極）和連接其他兩個(gè)端子（稱為源極和漏極）的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之間具有絕緣層。 “MOS”代表“金屬氧化物半導(dǎo)體”，...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-21 閱讀：1963 關(guān)鍵詞：MOSFET
AHB 是 AMBA 2.0 版本中的新成員。添加它是為了適應(yīng)高性能設(shè)計(jì)。添加的一些新功能包括分割事務(wù)、單周期總線主控切換、單時(shí)鐘邊沿操作以及更寬的數(shù)據(jù)總線配置（即 64/128 位）。 AHB 必須包含主設(shè)備和從設(shè)備之外的...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-21 閱讀：813 關(guān)鍵詞：高級(jí)微控制器
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能領(lǐng)先地位，并擴(kuò)大了其突破性...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-07-21 閱讀：856 關(guān)鍵詞：碳化硅場效應(yīng)晶體管
- 高速PCB信號(hào)完整性（SI）設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析
