利用IGBT高速、低飽和電壓特性的應用領域正在迅速擴大。它包括工業(yè)應用，例如太陽能系統(tǒng)逆變器和不間斷電源 (UPS)，以及消費類應用，例如等離子顯示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹飪加熱器中的加熱器控制、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路空調中的逆變器以及相機中的閃光燈控制。
　　簡介 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種功率晶體管，它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的高速開關和電壓驅動特性以及低導通電阻（低飽和電壓） ）雙極晶體管的特性。如圖1所示，IGBT的原理圖符號顯示了具有MOS柵極結構的雙極晶體管。IGBT的結構結合了MOS晶體管和雙極晶體管，如等效電路所示。

　　

　　IGBT 等效電路
　　利用IGBT高速、低飽和電壓特性的應用領域正在迅速擴大。它包括工業(yè)應用，例如太陽能系統(tǒng)逆變器和不間斷電源 (UPS)，以及消費類應用，例如等離子顯示面板 (PDP) 中的照明控制、IH 烹飪加熱器中的加熱器控制、功率因數(shù)校正 (PFC) 電路空調中的逆變器以及相機中的閃光燈控制。
　　圖 2 比較了 IGBT、雙極晶體管和 MOSFET 的結構和特性。IGBT 的基本結構是在 MOSFET 的漏極（集電極）側添加一個 p+ 層以及一個額外的 pn 結。當處于導通狀態(tài)時，n-層的電阻通過當空穴從p+層注入到n-層時發(fā)生正空穴時發(fā)生的傳導調制而迅速減小。這使得 IGBT 能夠比 MOSFET 處理更大的電流（由于導通電阻更低），從而減少傳導損耗（產生的熱量更低）并實現(xiàn)更小的芯片尺寸。

　　IGBT的基本結構
　　然而，這種IGBT結構意味著在開關操作過程中，所收集的空穴（少數(shù)載流子）的流出路徑在關斷時被阻斷，導致延遲關斷和拖尾電流的現(xiàn)象。因此，與 MOS-FET 相比，關斷損耗增加，開關速度降低。