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元器件應(yīng)用

如何選擇合適的超級(jí)電容器

這些就是超級(jí)電容器的基本原理及其所發(fā)揮的一些作用。但如何為所需的應(yīng)用選擇正確的設(shè)備呢? 圖 3 是一個(gè)很好的起點(diǎn),因?yàn)樗谳^高層面上說(shuō)明了一些需要考慮的初始因素。例如,如果最終應(yīng)用需要更長(zhǎng)的備份時(shí)間,...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-20 閱讀:1154 關(guān)鍵詞:超級(jí)電容器

確定線性穩(wěn)壓器的包裝限制范圍

工程師喜歡低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器,因?yàn)樗鼈兒?jiǎn)單、易于使用、價(jià)格低廉和低噪聲。典型的線性穩(wěn)壓器僅需要幾個(gè)外部電容器和電阻器即可完全實(shí)現(xiàn) DC/DC 轉(zhuǎn)換器。 通常,工程師根據(jù)數(shù)據(jù)表前面列出的一些規(guī)格來(lái)選擇線...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-14 閱讀:1254 關(guān)鍵詞:線性穩(wěn)壓器

電阻立方體的問(wèn)題

這個(gè)問(wèn)題起源于上一個(gè)冰河時(shí)代中期的某個(gè)時(shí)候,就在一次成功的乳齒象狩獵之后。循環(huán)分析或節(jié)點(diǎn)分析將產(chǎn)生與此處所示相同的答案,但需要更多的腦力勞動(dòng)。有時(shí),如果我們保持...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-14 閱讀:23346 關(guān)鍵詞:電阻立方體

RTD 電阻溫度特性建模

圖 1 中的藍(lán)色曲線顯示了根據(jù) DIN/ IEC 60751標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建的 100 Ω 鉑 RTD 的電阻-溫度特性。該標(biāo)準(zhǔn)要求傳感器在 0 °C 和 100 °C 時(shí)分別表現(xiàn)出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD 電阻-溫度特性圖。 圖 1. RTD 電阻-溫...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-12 閱讀:1089 關(guān)鍵詞:RTD 電阻

X 類和 Y 類電容器的額定值

X 類和 Y 類電容器的分類依據(jù): 他們的峰值電壓/額定電壓和 他們可以安全承受的峰值脈沖電壓。 下面的表 1 和表 2 總結(jié)了 X 類和 Y 類電容器的子類。 表 1. X 類子類評(píng)級(jí)* 表 2. Y 類子類評(píng)級(jí)* * ...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-12 閱讀:840 關(guān)鍵詞:Y 類電容器

設(shè)計(jì)節(jié)能螺線管驅(qū)動(dòng)器

螺線管是機(jī)電執(zhí)行器,具有可自由移動(dòng)的磁芯(稱為柱塞)。一般來(lái)說(shuō),螺線管由螺旋線圈和鐵制成的移動(dòng)鐵芯組成。 當(dāng)電流通過(guò)螺線管線圈時(shí),其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)。該磁場(chǎng)產(chǎn)生...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-10 閱讀:994 關(guān)鍵詞:節(jié)能螺線管驅(qū)動(dòng)器

MOS 晶體管結(jié)構(gòu)

MOS晶體管結(jié)構(gòu)由金屬、氧化物和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(因此,MOS)組成。 考慮具有 p 襯底和 n+ 擴(kuò)散阱作為漏極和源極端子的 NMOS 晶體管。氧化物層由SiO 2制成并且生長(zhǎng)在漏極和源...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-07 閱讀:20171 關(guān)鍵詞:SDR,DDR

Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅(qū)動(dòng)器解決方案

新世代電力系統(tǒng)的未來(lái), 氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動(dòng)器解決方案。這款設(shè)計(jì)方案面向中低功率的應(yīng)用,適用于LED照明、充電、微型逆變器...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-05 閱讀:1764 關(guān)鍵詞:氮化鎵(GaN)功率轉(zhuǎn)換

功率晶體管應(yīng)用的三個(gè)維度

幫助我們了解哪種功率晶體管技術(shù)最適合您的功率級(jí)設(shè)計(jì)。重申一下,這些是最大工作電壓、最大工作電流和最大開(kāi)關(guān)頻率。 這些和其他數(shù)據(jù)表參數(shù)為設(shè)計(jì)人員提供了做出深思熟慮的設(shè)計(jì)決策所需的技術(shù)信息。但設(shè)計(jì)人員通...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-05 閱讀:1080 關(guān)鍵詞:功率晶體管

對(duì)電阻溫度檢測(cè)器 (RTD) 的特性曲線

圖 1 中的藍(lán)色曲線顯示了根據(jù) DIN/ IEC 60751標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)建的 100 Ω 鉑 RTD 的電阻-溫度特性。該標(biāo)準(zhǔn)要求傳感器在 0 °C 和 100 °C 時(shí)分別表現(xiàn)出 100 Ω 和 138.5 Ω。 RTD...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-03 閱讀:818 關(guān)鍵詞:電阻溫度檢測(cè)器

熱敏電阻基礎(chǔ)知識(shí)

熱敏電阻(即Thermal Resistor )是一種溫度傳感器件,其電阻是其溫度的函數(shù)。 熱敏電阻有兩種類型:PTC(正溫度系數(shù))和NTC(負(fù)溫度系數(shù))。PTC熱敏電阻的電阻隨著溫度的升高而增加。相比之下,NTC 熱敏電阻的電...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-07-03 閱讀:1200 關(guān)鍵詞:熱敏電阻

正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標(biāo)準(zhǔn)布置和連接

該圖顯示了在有源區(qū)域使用時(shí)具有正常偏置的共源配置 N 溝道 JFET 的標(biāo)準(zhǔn)布置和連接。這里,柵源電壓 V GS等于柵極電源或輸入電壓 V G,它設(shè)置柵極和源極之間的反向偏置,而...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-28 閱讀:927 關(guān)鍵詞:N 溝道 JFET

光電晶體管的結(jié)構(gòu)和特性

在 NPN 晶體管中,集電極相對(duì)于發(fā)射極正向偏置,使得基極/集電極結(jié)反向偏置。因此,在結(jié)處沒(méi)有光的情況下,正常漏電流或暗電流流動(dòng)非常小。當(dāng)光落在基極上時(shí),該區(qū)域會(huì)形成更多的電子/空穴對(duì),并且該作用產(chǎn)生的電流...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-27 閱讀:824 關(guān)鍵詞:光電晶體管

光電二極管的結(jié)構(gòu)和特性

當(dāng)用作光傳感器時(shí),天竺葵光電二極管的暗電流(0 勒克斯)約為 10uA,硅型二極管約為 1uA。當(dāng)光照射到結(jié)上時(shí),會(huì)形成更多的空穴/電子對(duì),漏電流也會(huì)增加。該漏電流隨著結(jié)的照度的增加而增加。 因此,光電二極管電...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-27 閱讀:991 關(guān)鍵詞:光電二極管

555定時(shí)器框圖示例

引腳1。 – 接地,接地引腳將555 定時(shí)器連接到負(fù)(0v) 電源軌。 引腳 2。 – 觸發(fā)器,比較器 1 的負(fù)輸入。當(dāng)電壓降至 1/3Vcc 以下時(shí),該引腳上的負(fù)脈沖“設(shè)置”內(nèi)部觸發(fā)器...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-21 閱讀:937

高精度的電量計(jì)算法

電量計(jì)是負(fù)責(zé)計(jì)算電池估計(jì) SOC 的 IC。電量計(jì)算法可以部署在主 MCU 中,但專用電量計(jì) IC 有很多優(yōu)點(diǎn),包括: 效率:電量計(jì)降低了 MCU 的計(jì)算要求,從而使整個(gè)系統(tǒng)更加高效。 可靠性:久經(jīng)考驗(yàn)的電量計(jì) IC 通過(guò)...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-21 閱讀:877 關(guān)鍵詞:電量計(jì)算法

超級(jí)電容器的應(yīng)用

需要一個(gè) 5.5 伏、1.5 法拉的超級(jí)電容器作為電子電路的能量存儲(chǔ)備用設(shè)備。如果超級(jí)電容器由單個(gè) 2.75v、0.5F 電池制成,請(qǐng)計(jì)算所需的電池?cái)?shù)量和陣列布局。 超級(jí)電容電壓...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-20 閱讀:832 關(guān)鍵詞:超級(jí)電容器

超級(jí)電容器結(jié)構(gòu)

雙面涂層電極由活性導(dǎo)電碳、碳納米管或碳??凝膠形式的石墨碳制成。稱為分離器的多孔紙膜將電極分開(kāi),但允許正離子通過(guò),同時(shí)阻擋較大的電子。紙質(zhì)隔板和碳電極都浸有液體電解質(zhì),兩者之間使用鋁箔作為集電器,與超級(jí)...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-20 閱讀:593 關(guān)鍵詞:電容器

電容器的基礎(chǔ)教程

正如我們將在本電容器教程中看到的, 電容器 是能夠在其板上存儲(chǔ)電荷的能量存儲(chǔ)設(shè)備。因此,電容器由于其存儲(chǔ)電荷的能力而存儲(chǔ)能量,并且理想的電容器不會(huì)丟失其存儲(chǔ)的能量。 電容器最簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)是使用兩個(gè)平行的...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-19 閱讀:536 關(guān)鍵詞:電容器

使用 GaN FET 器件實(shí)現(xiàn)的高效升壓電路示例

氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是下一代射頻功率晶體管技術(shù)的一部分,它們是新型高頻器件,它們是遷移率更高,允許以最小的功耗和更低的傳導(dǎo)損耗傳輸高電流率。 ...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2023-06-16 閱讀:656 關(guān)鍵詞: GaN FET 器件

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