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2. 供應(yīng)商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴重不足(實際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎勵您500元。
12000
WDFN/19+
進口原裝現(xiàn)貨
FDMC8200
3000
QFN/1033+
公司現(xiàn)貨進口原裝優(yōu)勢價格熱賣
FDMC8200
3000
QFN/1033+
公司現(xiàn)貨進口原裝優(yōu)勢價格熱賣
FDMC8200
80000
WDFN/23+
原裝現(xiàn)貨
FDMC8200
36502
POWER338/24+
原裝 低價優(yōu)勢 配單十年
FDMC8200
12000
WDFN/19+
進口原裝現(xiàn)貨
FDMC8200
24259
NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票
FDMC8200
54232
WDFN8/24+
1比1質(zhì)量臺灣芯片/包上機可供更多
FDMC8200
1469
2021+/POWER33
只做原裝現(xiàn)貨假一罰十
FDMC8200
24304
DFN8/14+
原裝現(xiàn)貨，市場價格
FDMC8200
300000
Power338/23+
一級代理商可提供技術(shù)方案支持
FDMC8200
15000
QFN8/2215+
軍用單位指定合供方/只做原裝,自家現(xiàn)貨
FDMC8200
8000
POWER33/24+
只做原裝全新現(xiàn)貨
FDMC8200
20000
TO220F/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談
FDMC8200
10000
N/A/23+
價格有大空間 很優(yōu)勢
FDMC8200
80000
-/23+
原裝現(xiàn)貨
FDMC8200
5000
N/23+
原裝庫存，提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
FDMC8200
5000
N/26+
全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務(wù)
FDMC8200
105000
DFN33A8EP/23+
終端可以免費供樣，支持BOM配單
FDMC8200
8700
QFN/2023+
原裝現(xiàn)貨
FDMC8200
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33
FDMC8200PDF下載
FDMC8200
Fairchild
FDMC8200PDF下載
日前，飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙mosfet解決方案fdmc8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 dc-dc 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm mlp模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30v n溝道m(xù)osfet，二者均使用的專用先進高性能powertrench 7 mosfet技術(shù)，提供出色的低rds(on)、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷 (qgd)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。fdmc8200高側(cè)rds(on) 通常為24mohm，低側(cè)則為9.5mohm，可提供9a以上電流供主流計算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。 fdmc8200通過先進的封裝技術(shù)和專有powertrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決dc-dc應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm power33 mlp封裝和powertrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。 這款雙
et便能夠以一半的fet數(shù)目，提供相同的總體rds(on)。 fdms7650 采用飛兆半導(dǎo)體性能先進的 powertrench? mosfet 技術(shù)，提供具突破性的rds(on) 。這項技術(shù)擁有出色的低 rds(on)、總體柵極電荷(qg) 和米勒電荷 (qgd) ，能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而帶來更高的效率。 這款功率mosfet器件是飛兆半導(dǎo)體眾多 mosfet 器件之一，為功率設(shè)計提供了卓越的優(yōu)勢。這個系列的其它出色產(chǎn)品還有飛兆半導(dǎo)體的30v雙n溝道m(xù)osfet器件 fdmc8200和fdms9600，fdmc8200通常具有24 mohm 的高側(cè)rds(on) ，以及9.5 mohm的低側(cè)rds(on) ，有效提高了 dc-dc 應(yīng)用的效率。fdms9600 則通過降低高側(cè) mosfet 的開關(guān)損耗，以及低側(cè) mosfet的傳導(dǎo)損耗，為同步降壓應(yīng)用提供最佳的功率級。 來源:博士
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙mosfet解決方案fdmc8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 dc-dc 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm×3mm mlp模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30v n溝道m(xù)osfet，二者均使用的專用先進高性能powertrench 7 mosfet技術(shù)，提供出色的低rds(on)、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷 (qgd)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。fdmc8200高側(cè)rds(on) 通常為24mohm，低側(cè)則為9.5mohm，可提供9a以上電流供主流計算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。 fdmc8200通過先進的封裝技術(shù)和專有powertrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決dc-dc應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm×3mm power33 mlp封裝和powertrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
日前，飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙mosfet解決方案fdmc8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 dc-dc 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm mlp模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30v n溝道m(xù)osfet，二者均使用的專用先進高性能powertrench 7 mosfet技術(shù)，提供出色的低rds(on)、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷 (qgd)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。fdmc8200高側(cè)rds(on) 通常為24mohm，低側(cè)則為9.5mohm，可提供9a以上電流供主流計算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。 fdmc8200通過先進的封裝技術(shù)和專有powertrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決dc-dc應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm power33 mlp封裝和powertrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。 這款雙
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙mosfet解決方案fdmc8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 dc-dc 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm×3mm mlp模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30v n溝道m(xù)osfet，二者均使用的專用先進高性能powertrench 7 mosfet技術(shù)，提供出色的低rds(on)、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷 (qgd)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。fdmc8200高側(cè)rds(on) 通常為24mohm，低側(cè)則為9.5mohm，可提供9a以上電流供主流計算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。 fdmc8200通過先進的封裝技術(shù)和專有powertrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決dc-dc應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm×3mm power33 mlp封裝和powertrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙mosfet解決方案fdmc8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 dc-dc 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm mlp模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30v n溝道m(xù)osfet，二者均使用的專用先進高性能powertrench 7 mosfet技術(shù)，提供出色的低rds(on)、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷 (qgd)，這些性能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，帶來更高效率。fdmc8200高側(cè)rds(on) 通常為24mohm，低側(cè)則為9.5mohm，可提供9a以上電流供主流計算應(yīng)用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來便利，并簡化設(shè)計。 fdmc8200通過先進的封裝技術(shù)和專有powertrench 7工藝，節(jié)省空間并提升熱性能，解決dc-dc應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm power33 mlp封裝和powertrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
et便能夠以一半的fet數(shù)目，提供相同的總體rds(on)。 fdms7650 采用飛兆半導(dǎo)體性能先進的 powertrench? mosfet 技術(shù)，提供具突破性的rds(on) 。這項技術(shù)擁有出色的低 rds(on)、總體柵極電荷(qg) 和米勒電荷 (qgd) ，能最大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而帶來更高的效率。 這款功率mosfet器件是飛兆半導(dǎo)體眾多 mosfet 器件之一，為功率設(shè)計提供了卓越的優(yōu)勢。這個系列的其它出色產(chǎn)品還有飛兆半導(dǎo)體的30v雙n溝道m(xù)osfet器件 fdmc8200和fdms9600，fdmc8200 <http://www.fairchildsemi.com/pf/fd/fdmc8200.html>通常具有24 mohm 的高側(cè)rds(on) ，以及9.5 mohm的低側(cè)rds(on) ，有效提高了 dc-dc 應(yīng)用的效率。fdms9600 <http://www.fairchildsemi.com/pf/fd/fdms9600s.html> 則通過降低高側(cè) mosfet 的開關(guān)損耗，以及低側(cè) mosfet的傳導(dǎo)損耗，為同步降壓應(yīng)
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