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GaN正式登場傳統(tǒng)功率器件將被替代
件替代，也不是一件容易的事情。lidow博士提供的一些資料增加了說服力，在一個基于導(dǎo)通電阻性能帶來的不同材料功率器件成本比較中，第一代gan出色的性能遠(yuǎn)超si和sic，并且目前epc公司的兩款gan器件epc1010和epc1001所實現(xiàn)的封裝面積還遠(yuǎn)未到gan器件理論極限，“這也意味著，gan器件在優(yōu)化成本上的空間還很巨大，”lidow說。在另一個有關(guān)功率器件品質(zhì)因數(shù)（fom）的比較圖中，epc1010分別同三家公司的的mosfet（vishay的si7462dp、fairchild的fdms2672和ir的irf6641）進(jìn)行比較的結(jié)果也令人驚訝——epc1010的fom值較三者中表現(xiàn)最好的irf6641還要低將近20倍！fom =rds(on) x qg (200v)，由此可見gan器件在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗兩項關(guān)鍵值上表現(xiàn)優(yōu)異。 lidow強(qiáng)調(diào)，mosfet工作模式有兩類——耗盡型（depletion mode）和增強(qiáng)型（enhancement mode），即正常情況下導(dǎo)通和斷開兩種工作模式，epc采取了其中的增強(qiáng)型模式，其產(chǎn)品為egan型。而競爭者ir的gan產(chǎn)品為耗盡型模式，“

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