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N-Channel UltraFET Trench MOSFET(200...
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
FDMC2610_07PDF下載
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)最新推出功率開關(guān)fdmc2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nc對比 4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體的ultrafet器件除了能提供比市場上同類型封裝mlp器件更出色的熱性能和開關(guān)性能外，僅占用較dc/dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計常用的so-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小mosfet的占位面積及增強封裝熱容量，以便設(shè)計出更小型，更高
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)最新推出功率開關(guān)fdmc2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nc對比 4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體的ultrafet器件除了能提供比市場上同類型封裝mlp器件更出色的熱性能和開關(guān)性能外，僅占用較dc/dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計常用的so-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小mosfet的占位面積及增強封裝熱容量，以便設(shè)計出更小型，
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)成功擴展其功率開關(guān)器件解決方案，推出采用超緊湊型(3mm×3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設(shè)計目標(biāo)。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷(3.6nc對比4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w比25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體通信應(yīng)用部市場發(fā)展經(jīng)理mike speed稱：“飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)為設(shè)計人員提供具有業(yè)界領(lǐng)先性能的超緊湊型mlp 3x3功率開關(guān)產(chǎn)品。我們將powertrench工藝的優(yōu)點與先進(jìn)的封裝技術(shù)相結(jié)合，全面提升ultrafet產(chǎn)品系列的性能。這些產(chǎn)品經(jīng)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開關(guān)FDMC2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，可提高系統(tǒng)...
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開關(guān)FDMC2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，可...
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)最新推出功率開關(guān)fdmc2610，該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nc對比 4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w 比 25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體的ultrafet器件除了能提供比市場上同類型封裝mlp器件更出色的熱性能和開關(guān)性能外，僅占用較dc/dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計常用的so-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小mosfet的占位面積及增強封裝熱容量，以便設(shè)
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 成功擴展其功率開關(guān)器件解決方案，日前推出采用超緊湊型 (3mm x 3mm) 模塑無腳封裝 (mlp) 的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設(shè)計目標(biāo)。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nc對比 4nc) 和最低的導(dǎo)通阻抗 (200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù) (fom) 降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的熱阻 (theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體通信應(yīng)用部市場發(fā)展經(jīng)理mike speed稱：“飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)為設(shè)計人員提供具有業(yè)界領(lǐng)先性能的超緊湊型mlp 3x3功率開關(guān)產(chǎn)品。我們將powertrench? 工藝的優(yōu)點與先進(jìn)的封裝技術(shù)相結(jié)合，全面提升
飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 成功擴展其功率開關(guān)器件解決方案，推出采用超緊湊型 (3mm x 3mm) 模塑無腳封裝 (mlp) 的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設(shè)計目標(biāo)。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷 (3.6nc對比 4nc) 和最低的導(dǎo)通阻抗 (200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù) (fom) 降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳 (3c/w 比 25c/w) 的熱阻 (theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體通信應(yīng)用部市場發(fā)展經(jīng)理mike speed稱：“飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)為設(shè)計人員提供具有業(yè)界領(lǐng)先性能的超緊湊型mlp 3x3功率開關(guān)產(chǎn)品。我們將powertrench® 工藝的
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)成功擴展其功率開關(guān)器件解決方案，推出采用超緊湊型(3mm×3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設(shè)計目標(biāo)。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷(3.6nc對比4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w比25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體通信應(yīng)用部市場發(fā)展經(jīng)理mike speed稱：“飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)為設(shè)計人員提供具有業(yè)界領(lǐng)先性能的超緊湊型mlp 3x3功率開關(guān)產(chǎn)品。我們將powertrench工藝的優(yōu)點與先進(jìn)的封裝技術(shù)相結(jié)合，全面提升ultraf
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)成功擴展其功率開關(guān)器件解決方案，推出采用超緊湊型(3mm×3mm)模塑無腳封裝(mlp)的100v、200v和220v n溝道ultrafet器件，最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式dc/dc轉(zhuǎn)換器的初級端開關(guān)，能滿足提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間等必須的設(shè)計目標(biāo)。 與市場上類似的200v mlp 3x3封裝器件相比，飛兆半導(dǎo)體的200v器件fdmc2610具有業(yè)界最低的米勒電荷(3.6nc對比4nc)和最低的導(dǎo)通阻抗(200mω對比240mω)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(fom)降低了27%，并且在dc/dc轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實現(xiàn)出色的熱性能和開關(guān)性能。該款200v器件具有同類封裝器件中最佳(3c/w比25c/w)的熱阻(theta jc)，在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 飛兆半導(dǎo)體通信應(yīng)用部市場發(fā)展經(jīng)理mike speed稱：“飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)為設(shè)計人員提供具有業(yè)界領(lǐng)先性能的超緊湊型mlp 3x3功率開關(guān)產(chǎn)品。我們將powertrench工藝的優(yōu)點與先進(jìn)的封裝技術(shù)相結(jié)合，全面提升ultrafet產(chǎn)品系列的性能。
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