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飛兆半導(dǎo)體第六次榮獲《今日電子》十大DC-DC功率產(chǎn)品大獎
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (fairchild semiconductor) 贏得《今日電子》雜志2010年度十大dc-dc功率產(chǎn)品大獎，這是飛兆半導(dǎo)體公司第六次獲得這一聲名卓著的獎項。今年飛兆半導(dǎo)體的獲獎產(chǎn)品是fdmc7570s 25v mosfet系列，fdmc7570s能夠?qū)崿F(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案，同時繼續(xù)提供高效率和出色的熱性能。獲獎產(chǎn)品是采用3mm x 3mm mlp 封裝、具有業(yè)界最低rds(on)的25v mosfet器件，可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。fdmc7570s在10vgs 下的rds(on) 為1.6mohm，在4.5vgs下則為2.3mohm；其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同的替代解決方案降低50%，為設(shè)計人員提供了目前最高的功率密度。飛兆半導(dǎo)體公司中國及東南亞地區(qū)銷售和市場推廣部副總裁陳坤和稱：“fdmc7570s能夠滿足全球?qū)档凸模瑥亩鴮崿F(xiàn)更高能效的技術(shù)需求，飛兆半導(dǎo)體一直處于應(yīng)對這些技術(shù)挑戰(zhàn)的前沿，而我們很高興看到業(yè)界認(rèn)可我們的努力，把我們的產(chǎn)品評選為《今日電子》十大dc-dc功率產(chǎn)品。” 《今
飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對DC-DC設(shè)計挑戰(zhàn)
飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的mosfet產(chǎn)品系列，可應(yīng)對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設(shè)計挑戰(zhàn)。 fdmc7570s是采用3mm x 3mm mlp 封裝、具有業(yè)界最低rds(on)的25v mosfet器件，可提供無與倫比的效率和結(jié)溫性能。fdmc7570s在10vgs 下的rds(on) 為1.6mohm，在4.5vgs下則為2.3mohm；其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同的替代解決方案降低50%，為設(shè)計人員提供了目前最高的功率密度。所有這些改進都是飛兆半導(dǎo)體性能先進的專有powertrench® 工藝技術(shù)的成果，這項技術(shù)帶來了極低的rds(on)值、總體柵極電荷(qg)和米勒電荷(qgd)。fdmc7570s另一優(yōu)勢為其專有的屏蔽柵極架構(gòu)，可以減少高頻開關(guān)噪聲。此外，fdmc7570s的輸出電容(coss)和反向恢復(fù)電荷(qrr)均被降至最低，以減少降壓轉(zhuǎn)換中同步mosfet的損耗，從而獲得目前同類器件所無法匹敵的高峰值效率。除25v fdmc757

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標(biāo)準(zhǔn)包裝:

類別:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特點:

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應(yīng)商設(shè)備封裝:

包裝:

其它名稱:

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