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FDMC2610

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飛兆半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)FDMC2610具最佳的FOM值和熱阻

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  飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)最新推出功率開(kāi)關(guān)FDMC2610,該產(chǎn)品為采用超緊湊型(3mm x 3mm)模塑無(wú)腳封裝(MLP)的100V、200V和220V N溝道UltraFET器件,最適合用于工作站、電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)端開(kāi)關(guān),可提高系統(tǒng)效率和節(jié)省線路板空間。 

  與市場(chǎng)上類似的200V MLP 3x3封裝器件相比,飛兆半導(dǎo)體的200V器件FDMC2610具有業(yè)界的米勒電荷 (3.6nC對(duì)比 4nC)和的導(dǎo)通阻抗(200mΩ對(duì)比240mΩ)。這些特性使該器件的品質(zhì)系數(shù)(FOM)降低了27%,并且在DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的熱性能和開(kāi)關(guān)性能。該款200V器件具有同類封裝器件中最佳(3C/W 比 25C/W)的熱阻(Theta JC),在嚴(yán)苛的環(huán)境中也能保證可靠的散熱。 

  飛兆半導(dǎo)體的UltraFET器件除了能提供比市場(chǎng)上同類型封裝MLP器件更出色的熱性能和開(kāi)關(guān)性能外,僅占用較DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)常用的SO-8封裝器件一半的線路板空間。封裝尺寸的縮少可讓工程師減小MOSFET的占位面積及增強(qiáng)封裝熱容量,以便設(shè)計(jì)出更小型,更高功率密度的DC/DC轉(zhuǎn)換器。 

  飛兆半導(dǎo)體還推出了一款同樣采用MLP 3x3封裝的150V P溝道平面型UltraFET器件,與這3種N溝道器件相輔相成。這個(gè)器件針對(duì)有源箝位拓樸中同時(shí)需要N溝道和P溝道MOSFET的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)。為設(shè)計(jì)人員提供了完整的解決方案,這些無(wú)鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求,并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。所有型號(hào)產(chǎn)品現(xiàn)提供樣品和測(cè)試板,交貨期為收到訂單后8周內(nèi)。


  來(lái)源:小草
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