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FDMC6679AZ

更新時間:2025-05-18 20:51:05

供應商
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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官網(wǎng)可查icscjh.com

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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳市昌和盛利電子有限公司
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深圳原包裝現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道-增值稅票

藍界科技（深圳）有限公司
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深圳億恒升電子有限公司
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FDMC6679AZ外觀圖

FDMC6679AZ

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V POWER33

封裝:6-MLP，Power33

FDMC6679AZ 概述

FDMC6679AZ是由onsemi（安森美半導體）生產的一款N溝道MOSFET。它采用Power56封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的最大漏源電壓為30V，在柵極驅動電壓為4.5V時，其最大導通電阻僅為12.5mΩ，這有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括DC-DC轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電源管理電路。在便攜式電子產品中，如智能手機和平板電腦，它的高效能使得電源管理更加精準可靠。當用于DC-DC轉換器時，建議選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意PCB布局以減少寄生電感對電路性能的影響。此外，在進行電路設計時，確保散熱良好以維持器件工作溫度在安全范圍內。

FDMC6679AZ 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 11.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
91nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3970pF @ 15V
功率 - 最大
2.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-MLP，Power33
供應商設備封裝
Power33
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDMC6679AZ-NDFDMC6679AZFSTR

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FDMC0225
FDMC0310AS
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FDMC2523P
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FDMC2674
FDN335N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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