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FDD2570

更新時間:2025-06-15 11:24:34

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說明
詢價

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FDD2570外觀圖

FDD2570

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD2570 概述

FDD2570是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。它能夠在-55°C到+175°C的溫度范圍內正常工作。典型應用場景包括電源管理電路中的同步整流、DC-DC轉換器以及電機驅動控制等需要高效功率轉換的場合。由于其較低的Rds(on)值，有助于減少功耗并提高系統效率。在實際應用中，建議在柵極串聯一個小電阻以抑制振蕩，并確保良好的散熱設計以維持穩(wěn)定工作溫度。在PCB布局時，盡量縮短源極與漏極之間的走線距離，以減少寄生電感的影響。

FDD2570 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 4.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
62nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1907pF @ 75V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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