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硅基

Nexperia針對(duì)汽車以太網(wǎng)推具有開創(chuàng)性且符合OPEN Alliance 標(biāo)準(zhǔn)的硅基ESD器件

分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia,日前宣布針對(duì) 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領(lǐng)先且符合 OPEN Alliance 標(biāo)準(zhǔn)的硅基 ESD 防護(hù)器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net...

分類:汽車電子/智能駕駛 時(shí)間:2020-02-18 閱讀:678 關(guān)鍵詞:Nexperia,硅基

ACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊

美國馬薩諸塞州洛厄爾 – 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊,擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2019-03-07 閱讀:901 關(guān)鍵詞:ACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊半導(dǎo)體,功率放大器

MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能,實(shí)現(xiàn)

10W全匹配兩級(jí)功率放大器,頻率范圍為225 - 2600 MH·可靈活安裝于設(shè)備的頂端或底端安裝,簡(jiǎn)化無線電設(shè)備設(shè)計(jì),更小、更輕·MACOM的MAMG-100227-010功率放大器現(xiàn)已正式發(fā)售2019年2月14日,美國馬薩諸塞州洛厄爾 – ...

分類:通信與網(wǎng)絡(luò) 時(shí)間:2019-02-15 閱讀:1160 關(guān)鍵詞:MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能,實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先 功率放大器

硅基鋰離子電池負(fù)極材料

硅是目前已知比容量(4200mAh/g)的負(fù)極材料,但由于其巨大的體積效應(yīng)(>300%),硅電極材料在充放電過程中會(huì)粉化而從集流體上剝落,使得活性物質(zhì)與活性物質(zhì)、活性物質(zhì)...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2017-04-07 閱讀:2282 關(guān)鍵詞:鋰離子電池,硅電極材料,電解液

集成硅基光傳感器的選擇與應(yīng)用

現(xiàn)代電測(cè)技術(shù)日趨成熟,由于具有高、便于微機(jī)相連實(shí)現(xiàn)自動(dòng)實(shí)時(shí)處理等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)廣泛應(yīng)用在電氣量和非電氣量的測(cè)量中。然而電測(cè)法容易受到干擾,在交流測(cè)量時(shí),頻率響應(yīng)不夠...

分類:其它 時(shí)間:2011-09-01 閱讀:2241 關(guān)鍵詞:傳感器硅基集成

剖析硅基MEMS制造技術(shù)

上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)是一種使產(chǎn)品集成化、微型化、智能化的微型機(jī)電系統(tǒng)。MEMS是微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-MechanicalSystems)的英文縮寫。MEMS是美國的叫法,在日本被稱為微機(jī)械,...

分類:模擬技術(shù) 時(shí)間:2011-08-26 閱讀:1906 關(guān)鍵詞:EMEMS硅基

硅基半導(dǎo)體激光器

目前,對(duì)于單片集成光電子回路來說,的限制就在于缺少合適的光源,而基于化合物材料的半導(dǎo)體激光器由于工藝上與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝不兼容,無法實(shí)現(xiàn)單片集成電路。所以只能選...

分類:基礎(chǔ)電子 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:3548 關(guān)鍵詞:硅基半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器

硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖

F-P結(jié)構(gòu)[18]:如圖1所示。通過F-P腔形成選頻結(jié)構(gòu)`透射峰值頻率相應(yīng)發(fā)生變化,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)所用光波長(zhǎng)的強(qiáng)度調(diào)制。容差小?! D1 F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.hbjingang.com)

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:2223 關(guān)鍵詞:硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖

硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)

Mach-Zehender結(jié)構(gòu):通過M-Z結(jié)構(gòu),改變其中一臂或兩臂折射率,使其產(chǎn)生折射率差,進(jìn)行相位調(diào)制并產(chǎn)生干涉實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度調(diào)制。特點(diǎn)是制作簡(jiǎn)單,但器件尺寸偏大。M-Z干涉儀結(jié)構(gòu)如圖1所示?! D1 M-Z干涉儀結(jié)構(gòu)  歡...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:2159 關(guān)鍵詞:硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)

硅基電光調(diào)制器分類

從電學(xué)結(jié)構(gòu)分,可分為 ?。?)PIN結(jié)構(gòu):通過PIN[15]結(jié)構(gòu)的正偏或反偏來實(shí)現(xiàn)載流子的注入或耗盡。其特點(diǎn)是制作工藝較簡(jiǎn)單,集成度差,響應(yīng)頻率較低,從幾百kHz到幾MHz。如果截面做得小,則調(diào)制頻率可達(dá)幾十兆赫茲...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-03 閱讀:3422 關(guān)鍵詞:硅基電光調(diào)制器分類

基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器

CM0S工藝是最為重要的微電子制造技術(shù),具有廉價(jià)、可批量制造、成品率高等優(yōu)點(diǎn)。早期的CMOS工藝通常采用單阱工藝,單阱工藝只含一個(gè)阱(N阱或者P阱)。若為P型襯底則將NMOS直接制作在襯底上,而將PMOS寺刂作在N阱中;...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-01 閱讀:3875 關(guān)鍵詞:基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器SILICONCMOSLATCH探測(cè)器

集成硅基光發(fā)射機(jī)參數(shù)

為了設(shè)計(jì)光發(fā)射機(jī)電路,必須根據(jù)系統(tǒng)在標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議或約定方面的要求給定下列參數(shù):(1)信號(hào)傳輸速度;(2)輸入信號(hào)電平;(3)光輸出功率;(4)工作溫度范圍;(5)可靠性及其他技術(shù)要求。電路的結(jié)構(gòu)主要取決于可...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-12-01 閱讀:2920 關(guān)鍵詞:集成硅基光發(fā)射機(jī)參數(shù)集成硅基

集成硅基光發(fā)射概念器

與以往的砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)等化合物材料的分立元件集成芯片不同,與標(biāo)準(zhǔn)微電子工藝兼容的硅基光電子集成回路需要在硅襯底上實(shí)現(xiàn)光發(fā)射器、光波導(dǎo)/調(diào)制器、光電探測(cè)器及驅(qū)動(dòng)電路和接收器電路的單片集成。...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-12-01 閱讀:2053 關(guān)鍵詞:集成硅基光發(fā)射概念器集成硅基光

硅基光電子集成回路(OEIC)概述

硅基光電子集成回路是將光發(fā)射器、光波導(dǎo)/調(diào)制器、光電探測(cè)器及驅(qū)動(dòng)電路和接收器電路進(jìn)行單片集成。所有 器件均采用標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝制各,或是僅僅對(duì)工藝進(jìn)行微小的修改,從而實(shí)現(xiàn)全光互連與超大規(guī)模集成電路的 單...

分類:元器件應(yīng)用 時(shí)間:2008-12-01 閱讀:5729 關(guān)鍵詞:硅基光電子集成回路(OEIC)概述光電子

基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器

目前,長(zhǎng)距離通信用的光接收器探測(cè)器都是用III-V族化合物材料制作的,其傳輸速率已經(jīng)超過了40Gb/s,然而,Ill-V族材料的光接收器和OEIC價(jià)格昂貴,對(duì)于短距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用,例如局域網(wǎng)、光纖入戶和板級(jí)光互連等并不...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2008-12-01 閱讀:1836 關(guān)鍵詞:基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器CMOS探測(cè)器

蘇州敏芯公司發(fā)布硅基MEMS麥克風(fēng)芯片

來自蘇州的一家留學(xué)生初創(chuàng)IC設(shè)計(jì)公司蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司(MEMSensingMicrosystemsCo.,Ltd.)近日宣布,推出外形尺寸為1.5mm×1.5mm×0.4mm的硅基MEMS麥克風(fēng)芯片,并已開始進(jìn)行樣產(chǎn)和小批量生產(chǎn)。該公司表

分類:其它 時(shí)間:2007-11-24 閱讀:2279 關(guān)鍵詞:蘇州敏芯公司發(fā)布硅基MEMS麥克風(fēng)芯片58DB

LCoS(硅基液晶)顯示屏設(shè)計(jì)與應(yīng)用

1 LCoS顯示芯片--一類新型的SoC芯片  提到液晶顯示器,人們就會(huì)聯(lián)想到筆記本電腦用液晶顯示器,或是大屏幕等離子顯示器。新出現(xiàn)的令人振奮的LCoS是制作在單晶硅上的LCD顯示技術(shù)[1]。   LCoS 顯示器是一類新型...

分類:光電顯示/LED照明 時(shí)間:2007-08-02 閱讀:2964 關(guān)鍵詞:LCoS(硅基液晶)顯示屏設(shè)計(jì)與應(yīng)用

硅基的量子器件和納米器件

前者理論是清楚的,但從器件發(fā)展到電路,所需的技術(shù)仍處于發(fā)展之中,要進(jìn)入到比較普遍的應(yīng)用估計(jì)仍需一二十年的時(shí)間。至于納米器件,目前多以原子和分子自組裝技術(shù)與微電子超深亞微米加工技術(shù)相結(jié)合的方法進(jìn)行,特別...

分類:PCB技術(shù) 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:1685 關(guān)鍵詞:硅基的量子器件和納米器件2004

硅基光子晶體的研究

從真空管到超大規(guī)模集成電路,人類跨出了巨大的一步、半個(gè)世紀(jì)以來,電子器件的迅猛發(fā)展使其廣泛應(yīng)用于生活和工作的各個(gè)領(lǐng)域,它尤其促進(jìn)了通訊和計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而,進(jìn)一步小型化以及在減小能耗下提高運(yùn)作速度...

分類:其它 時(shí)間:2007-04-29 閱讀:243 關(guān)鍵詞:硅基光子晶體的研究

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