Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件， 助力計算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能
代表著下一代電源系統(tǒng)未來的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-01-16 閱讀：1720 關(guān)鍵詞：FET器件
俗話說“人無遠慮必有近憂”。對于電子設(shè)計工程師，在項目開始之前、器件選型之初，就要做好充分考慮，選擇Z適合自己需要的器件，才能保證項目的成功?！ 」β蔒OSFET恐怕是工程師們Z常用的器件之一了，但你知道嗎？...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-10-27 閱讀：552 關(guān)鍵詞：MOSFET器件選型的3大法則MOSFET
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應(yīng)
設(shè)計電源時，工程師常常會關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下， 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式（DCM）下工作時，若選擇Rds（on）較小的MOSF...
分類：通信與網(wǎng)絡(luò) 時間：2020-01-13 閱讀：615 關(guān)鍵詞：MOSFET器件,轉(zhuǎn)換器
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-01-29 閱讀：15570 關(guān)鍵詞：Vishay推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件MOSFET器件
Vishay的第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)水平
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-01-28 閱讀：721 關(guān)鍵詞：Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達到業(yè)內(nèi)最佳水平MOSFET器件
英飛凌推出新型950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件
更高密度的低功率SMPS設(shè)計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設(shè)計要求：用于照明、智能電表、移動充電器、筆...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2018-08-27 閱讀：967 關(guān)鍵詞：英飛凌推出新型950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件MOSFET器件
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計方案
導(dǎo)讀：介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計與實現(xiàn)。該電路設(shè)計方案具有抗干擾能力強、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點。通過試驗驗證了該方案的正確性和可行性。...
分類：其它 時間：2014-04-03 閱讀：1976 關(guān)鍵詞：基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護電路的設(shè)計方案CPLD技術(shù) MOSFET器件 保護電路
基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計及仿真研究
摘要：絕緣體上硅（Silicon On Insulator,簡稱SOI）以其獨特的材料結(jié)構(gòu)有效克服了體硅材料的不足，使其在能夠成功應(yīng)用于輻照惡劣環(huán)境中。本文使用Sentaurus TCAD軟件中的SD...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2014-01-22 閱讀：3651 關(guān)鍵詞：基于0.18μmH柵P-Well SOI MOSFET器件的設(shè)計及仿真研究絕緣體上硅電子設(shè)備體硅材料體硅器件
使用于嵌入式功率系統(tǒng)的先進100V MOSFET器件
高效的AC/DC SMPS與DC/DC轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代功率架構(gòu)的主干，用於驅(qū)動諸如電信或計算機此類系統(tǒng)。為了滿足市場對這些轉(zhuǎn)換器的需求，英飛凌科技推出了全新的100V MOSFET系列器件。該系列器件以電荷平衡為基礎(chǔ)，可大幅度降低...
分類：嵌入式系統(tǒng)/ARM技術(shù) 時間：2011-07-10 閱讀：3168 關(guān)鍵詞：使用于嵌入式功率系統(tǒng)的先進100V MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體采用Power 56封裝的MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封裝，型號為FDMS7650。FDMS7650可以用作負載開關(guān)
分類：元器件應(yīng)用 時間：2009-09-07 閱讀：3319 關(guān)鍵詞：飛兆半導(dǎo)體采用Power 56封裝的MOSFET器件FDMS9600MOSFET器件
Diodes推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET器件
Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求?！ ?..
分類：光電顯示/LED照明 時間：2009-08-12 閱讀：2719 關(guān)鍵詞：Diodes推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET器件LCDMOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體雙MOSFET器件為同步降壓應(yīng)用提供高效率和高功率密度
日前，飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它DC-DC設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mmx3mmMLP模塊中
分類：元器件應(yīng)用 時間：2009-07-09 閱讀：2603 關(guān)鍵詞：飛兆半導(dǎo)體雙MOSFET器件為同步降壓應(yīng)用提供高效率和高功率密度FDMS9620SFDMS9600SMOSFET器件
飛兆針對便攜應(yīng)用推出MOSFET器件FDZ391P
為滿足便攜應(yīng)用對外型薄、電能和熱效率高的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)推出采用1×1.5×0.4mmWL-CSP封裝的單一P溝道MOSFET器件FDZ391P。該器件采用飛兆半導(dǎo)體的1.5V額定電壓PowerT
分類：電源技術(shù) 時間：2008-11-10 閱讀：1733 關(guān)鍵詞：飛兆針對便攜應(yīng)用推出MOSFET器件FDZ391PMOSFETFDZ391P
瑞薩發(fā)布用于高效率發(fā)射器功率放大器的高頻功率MOSFET器件
瑞薩科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別和IEC61000-4-2的4級ESD標(biāo)準(zhǔn)的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器。
分類：物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 時間：2008-06-06 閱讀：2840 關(guān)鍵詞：瑞薩發(fā)布用于高效率發(fā)射器功率放大器的高頻功率MOSFET器件3.6V2008TECHNOLOGYMOSFET20KV
瑞薩科技公司（RenesasTechnologyCorp.），推出RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET，以實現(xiàn)業(yè)界最高功效級別*1和IEC61000-4-2的4級ESD標(biāo)準(zhǔn)*2的高可靠性。這些器件適用于手持式無線設(shè)備發(fā)射器的功率放大器
分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-06-02 閱讀：2135 關(guān)鍵詞：瑞薩科技高效大功率MOSFET器件RQA0010MOSFETRQA0010
飛兆推出11種面向電機控制應(yīng)用的新型30/40V MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和...
分類：其它 時間：2007-12-22 閱讀：1800 關(guān)鍵詞：飛兆推出11種面向電機控制應(yīng)用的新型30/40V MOSFET器件
飛兆半導(dǎo)體推出用于超纖小型鎮(zhèn)流器的DPAK SuperFET器件
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK(TO-252)器件需求而設(shè)計。飛兆半導(dǎo)體DPAK封裝的SuperFET器件的
分類：電源技術(shù) 時間：2007-12-14 閱讀：1411 關(guān)鍵詞：飛兆半導(dǎo)體推出用于超纖小型鎮(zhèn)流器的DPAK SuperFET器件TO-220TO-252TO-263
IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，節(jié)省80％設(shè)計空間
國際整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFETMOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-12 閱讀：1432 關(guān)鍵詞：IR新型MOSFET器件符合IEEE802.3af，節(jié)省80％設(shè)計空間IRF4000SOT-223
飛兆半導(dǎo)體推出新低導(dǎo)通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600VSuperFETMOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK(TO-252)器件需求而設(shè)計。飛兆半導(dǎo)體DPAK封裝的SuperFET器件的導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型平坦化MOSFET
分類：元器件應(yīng)用 時間：2007-12-11 閱讀：1443 關(guān)鍵詞：飛兆半導(dǎo)體推出新低導(dǎo)通阻抗600V SUPERFET MOSFET器件系列
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析
