國(guó)際整流器公司(IR)日前推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3平方英寸的占板面積。
IR中國(guó)及香港銷(xiāo)售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富指出：“PoE卡的每個(gè)端口都需要有各自的MOSFET，IRF4000正好可以滿足這種需要。與使用單獨(dú)MOSFET的解決方案相比，它能大幅度減少零件數(shù)目，同時(shí)簡(jiǎn)化制造工藝，可在48端口系統(tǒng)中節(jié)省36個(gè)插入元件?！?
　　IEEE 802.3af提出了在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中由電源設(shè)備通過(guò)局域網(wǎng)向用電裝置供電的標(biāo)準(zhǔn)。IR的這款新型MOSFET的工作類(lèi)似一　　個(gè)熱交換場(chǎng)效應(yīng)管，在受控環(huán)境下，可將電力由電源設(shè)備輸送到用電裝置。由于它必須在線性區(qū)域工作，工作環(huán)　　境也非常嚴(yán)峻，因此必須設(shè)置一個(gè)高度穩(wěn)定的安全工作區(qū)域(SOA)。
IRF4000采用低跨導(dǎo)硅技術(shù)，封裝熱阻約1℃/W，在線性區(qū)域工作時(shí)可高效地散發(fā)熱量。該器件經(jīng)過(guò)全面的電學(xué)和熱特性優(yōu)化，以適應(yīng)苛刻的IEEE 802.3af工作條件，與獨(dú)立的SOT-223 MOSFET相比，該器件安全工作區(qū)域增加56%，有效改善了系統(tǒng)的可靠性和耐熱性。
　　IRF4000除了適用于48端口系統(tǒng)，還適用于96端口產(chǎn)品或更小型的12端口PoE插頭模組。在各種情況下，每個(gè)IRF4000器件都可以取代4個(gè)端口。新器件已經(jīng)通過(guò)MSL三級(jí)。IRF4000除了符合IEEE 802.3af規(guī)范，還能夠滿足即將問(wèn)世的針對(duì)高功率負(fù)載的PoE Plus構(gòu)架的要求。
　　IRF4000現(xiàn)已開(kāi)始供貨，以10,000訂貨量計(jì)算，單價(jià)為2美元，價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。