易于工程實(shí)現(xiàn)的脈沖信號(hào)實(shí)時(shí)測頻算法

脈沖信號(hào)是現(xiàn)代雷達(dá)主要采用的信號(hào)形式，脈沖信號(hào)頻率測量是雷達(dá)偵察中不可或缺的環(huán)節(jié)，對雷達(dá)對抗起著重要的作用。數(shù)字化處理是雷達(dá)對抗系統(tǒng)發(fā)展的趨勢之一，常用的數(shù)字測頻方法包括過零點(diǎn)檢測法、相位差分法、快速...

時(shí)間：2015-05-21 閱讀：1181 關(guān)鍵詞：脈沖信號(hào)FPGA

基于異構(gòu)多核全高清H264解碼系統(tǒng)設(shè)計(jì)

移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來，高清多媒體視頻的普及，3D大型手機(jī)游戲?qū)Φ某霈F(xiàn)，單核嵌入式硬件平臺(tái)已經(jīng)難以滿足復(fù)雜的實(shí)際計(jì)算需求。而異構(gòu)多核處理器在視頻編解碼運(yùn)算上具有強(qiáng)大的優(yōu)勢，已經(jīng)成為了嵌入式處理器架構(gòu)發(fā)展的...

時(shí)間：2015-03-30 閱讀：2193 關(guān)鍵詞：基于異構(gòu)多核全高清H264解碼系統(tǒng)設(shè)計(jì)OMAP4430PART12801080高清視頻、H264、異構(gòu)多核、解碼、處理器

在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡

異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個(gè)極為不同的產(chǎn)品類型，每個(gè)系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價(jià)格?？焖佼惒絊RAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 從技術(shù)角度看，需要進(jìn)行...

時(shí)間：2015-01-26 閱讀：1480 關(guān)鍵詞：在異步SRAM中實(shí)現(xiàn)速度與功耗的完美平衡SRAM功耗

細(xì)說：電網(wǎng)儲(chǔ)能的五種技術(shù)路線

因?yàn)榭稍偕茉窗l(fā)電的間隙性和易變性，及其滲透率的不斷提高，對電網(wǎng)的正常運(yùn)行和調(diào)度有一定程度的沖擊，為了盡可能利用更多的可再生能源和提高電網(wǎng)運(yùn)行的可靠性和效率，各種儲(chǔ)能技術(shù)得到快速發(fā)展。電能儲(chǔ)存技術(shù)分為...

時(shí)間：2015-01-14 閱讀：1078 關(guān)鍵詞：細(xì)說：電網(wǎng)儲(chǔ)能的五種技術(shù)路線電網(wǎng)儲(chǔ)能

大數(shù)據(jù)時(shí)代下存儲(chǔ)設(shè)備五大新技術(shù)

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域正在發(fā)生著劇烈的變化，而且這種變化將是長期的一種趨勢。而隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的變化，必然將催生中一些新的技術(shù)的產(chǎn)生，必將改變存儲(chǔ)領(lǐng)域的發(fā)展，那么今天我們就來看一下未來有哪些存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)改變未來呢...

時(shí)間：2014-11-28 閱讀：1426 關(guān)鍵詞：大數(shù)據(jù)時(shí)代下存儲(chǔ)設(shè)備五大新技術(shù)大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備

云存儲(chǔ)未來存儲(chǔ)的方向

近年來，隨著安防監(jiān)控行業(yè)對存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求急速上升，ip網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)以其高性價(jià)比的解決方案優(yōu)勢異軍突起。同時(shí)，在監(jiān)控產(chǎn)品、監(jiān)控平臺(tái)系統(tǒng)與存儲(chǔ)產(chǎn)品相集成化的過程中，新的技術(shù)發(fā)展方向也逐漸顯現(xiàn)出來。　　目前常用的...

時(shí)間：2014-10-11 閱讀：2195 關(guān)鍵詞：云存儲(chǔ)未來存儲(chǔ)的方向云存儲(chǔ)存儲(chǔ)

基于STM32F102的MEMS eMotion解決方案

導(dǎo)讀：ST公司的STM32F102xx是高性能ARM Cortex-M3 32位RISC內(nèi)核的USB接入MCU,工作頻率48MHz,具有高速嵌入式存儲(chǔ)器（閃存64kB或128kB以及10kB或16kB SRAM），各種外設(shè)和連接兩個(gè)APB總線的I/O. 器件提供標(biāo)準(zhǔn)的通...

時(shí)間：2023-06-25 閱讀：377 關(guān)鍵詞：基于STM32F102的MEMS eMotion解決方案STSTM32F102xxMEMS eMotionSTM32F102T8存儲(chǔ)器

LSI公司推出Nytro MegaRAID 8140-8e8i閃存卡

導(dǎo)讀：LSI公司為了進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro產(chǎn)品組合，宣布LSINytro產(chǎn)品組合新增MegaRAID8140-8e8i閃存卡。自2012年4月Nytro產(chǎn)品系列問世以來，LSINytro閃存卡全球出貨量已超過10萬塊。LSINytroMegaRAI

時(shí)間：2014-04-14 閱讀：1965 關(guān)鍵詞：LSI公司日前宣布推出Nytro MegaRAID 8140-8e8i閃存卡LSI閃存卡Nytro雙核片

宇瞻推出兩款超薄型固態(tài)硬盤

導(dǎo)讀：隨著終端產(chǎn)品朝行動(dòng)化的趨勢發(fā)展，內(nèi)置的儲(chǔ)存裝置在規(guī)格尺寸上開始轉(zhuǎn)向輕薄設(shè)計(jì)，并對于產(chǎn)品在耐用性上的要求更加嚴(yán)格。瞄準(zhǔn)工業(yè)用計(jì)算機(jī)也將受到此潮流的驅(qū)動(dòng)下，宇瞻推出兩款超薄型固態(tài)硬盤，分別為符合JEDE...

時(shí)間：2014-04-11 閱讀：1343 關(guān)鍵詞：宇瞻推出兩款超薄型固態(tài)硬盤宇瞻 固態(tài)硬盤 SATA 3.0

賽靈思開發(fā)出支持DDR4內(nèi)存接口的UltraScale

導(dǎo)讀：日前，賽靈思公司（簡稱“Xilinx”）開發(fā)出一款支持DDR4內(nèi)存接口的UltraScale器件，該器件的推出為業(yè)界提供了市場領(lǐng)先的高性能DDR4內(nèi)存解決方案。UltraScale器件采用ASIC級(jí)架構(gòu)，支持大量I/O和超大存儲(chǔ)帶寬，...

時(shí)間：2014-03-12 閱讀：2053 關(guān)鍵詞：賽靈思開發(fā)出支持DDR4內(nèi)存接口的UltraScale賽靈思DDR4內(nèi)存接口UltraScale

富士通半導(dǎo)體開發(fā)出全新FRAM器件MB85RC1MT

導(dǎo)讀：日前，富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司開發(fā)出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件擁有1Mb內(nèi)存，是富士通半導(dǎo)體所有I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品。據(jù)悉，MB85RC1MT擁有128K字符X8位的1Mb內(nèi)存，可在攝氏零下...

時(shí)間：2014-02-26 閱讀：2101 關(guān)鍵詞：富士通半導(dǎo)體開發(fā)出全新FRAM器件MB85RC1MT富士通半導(dǎo)體FRAM器件1Mb內(nèi)存MB85RC1MT

SanDisk推出新一代高速緊湊的X110 SSD

導(dǎo)讀：據(jù)報(bào)道，全球閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司（以下簡稱“SanDisk”）日前宣布推出新一代高速緊湊的X110SSD.并且此款高速X110SSD可使華碩ZENBOOKUX301LA超極本具備高達(dá)512GB的大容量快速響應(yīng)閃存存儲(chǔ)，實(shí)現(xiàn)應(yīng)...

時(shí)間：2014-01-14 閱讀：2626 關(guān)鍵詞：SanDisk推出新一代高速緊湊的X110 SSDSanDiskX110固態(tài)硬盤

業(yè)界首款采用LPDDR4的8Gb移動(dòng)DRAM問世

導(dǎo)讀：據(jù)報(bào)道，三星于日前正式宣布其研發(fā)的業(yè)界首款采用LPDDR4的8Gb移動(dòng)DRAM.此款8Gb移動(dòng)DRAM的成功研發(fā)是三星在DRAM市場上的一個(gè)重大突破，也為用戶提供了前所未有的性能體驗(yàn)。日前，三星正式宣布其研發(fā)的業(yè)界首款...

時(shí)間：2013-12-31 閱讀：1461 關(guān)鍵詞：業(yè)界首款采用LPDDR4的8Gb移動(dòng)DRAM問世三星LPDDR4移動(dòng)DRAM

MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片

導(dǎo)讀：近日，富士通半導(dǎo)體宣布推出一款全新的4MbitFRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，并且可與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具備高速數(shù)據(jù)寫入功能的SRAM.富士通半導(dǎo)體近日宣布...

時(shí)間：2013-12-20 閱讀：1945 關(guān)鍵詞：MB85R4M2T:具有SRAM兼容型并列接口的4 Mbit FRAM芯片FRAM芯片SRAM并列接口MB85R4M2T