導(dǎo)讀：近日，富士通半導(dǎo)體宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，并且可與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具備高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入功能的SRAM.

　　富士通半導(dǎo)體近日宣布推出一款全新的4 Mbit FRAM芯片--MB85R4M2T,新器件具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，并且可與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，MB85R4M2T的推出取代了原有具備高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入功能的SRAM.

　　主要特點(diǎn)：

　　1）可與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容；

　　2）具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，隨機(jī)存取功能則能高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)；

　　3）在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)即使在電源中斷或是停電的狀況下仍能保護(hù)數(shù)據(jù)；

　　4）能減少50%以上產(chǎn)品中所使用PCB基板記憶體與相關(guān)零件的電路板面積，以便更小型、更省電的硬設(shè)備；

　　5）為非揮發(fā)性的內(nèi)存，無(wú)須任何電池即可持續(xù)地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，有助于降低總成本。

　　MB85R4M2T可與標(biāo)準(zhǔn)低功耗SRAM兼容，具備非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存功能，隨機(jī)存取功能則能高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)。由于 FRAM 在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)若面臨電源臨時(shí)中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，因此即使在電源中斷時(shí)還是能夠立即儲(chǔ)存參數(shù)信息并實(shí)時(shí)記錄設(shè)備上的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。由于FRAM為非揮發(fā)性的內(nèi)存，在電力關(guān)閉情況下不會(huì)耗費(fèi)任何電力，無(wú)須任何電池即可持續(xù)地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，不僅降低零件成本，也免掉了相關(guān)的周期性成本，大大降低了總成本。此外，MB85R4M2T能減少50%以上產(chǎn)品中所使用PCB基板記憶體與相關(guān)零件的電路板面積，以便更小型、更省電的硬設(shè)備。

　　主要應(yīng)用：

　　●工業(yè)機(jī)械

　　●辦公自動(dòng)化設(shè)備

　　●醫(yī)療設(shè)備

　　●其他工業(yè)設(shè)備

　　供貨情況：

　　MB85R4M2T采用44-pinTSOP封裝，于2014年1月起開(kāi)始為客戶提供樣品。