富士通半導體開發(fā)出全新FRAM器件MB85RC1MT
出處：電子市場網(wǎng) 發(fā)布于：2014-02-26 11:57:00
導讀：日前，富士通半導體（上海）有限公司開發(fā)出一款全新FRAM器件MB85RC1MT.此器件擁有1Mb內(nèi)存，是富士通半導體所有I2C串行接口產(chǎn)品中內(nèi)存容量的產(chǎn)品。
據(jù)悉，MB85RC1MT擁有128K字符X8位的1Mb內(nèi)存，可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作，可支持3.4MHz的“高速”操作模式，并可在與傳統(tǒng)EEPROM相同的1MHz環(huán)境進行讀寫數(shù)據(jù)作業(yè)。其一萬億次寫入/擦除周期可滿足需要經(jīng)常重復寫入數(shù)據(jù)之應(yīng)用，如：工廠自動化控制、測驗儀器及工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。而FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機存取功能的存儲器，能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入數(shù)據(jù)。
除此之外，MB85RC1MT以其所具備的優(yōu)勢性能，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率數(shù)據(jù)輸入和高數(shù)據(jù)擷取，而且還達到了降低數(shù)據(jù)寫入的時功耗，很好的滿足了客戶對低功耗產(chǎn)品的需求。
富士通半導體目前可為客戶提供MB85RC1MT樣品，歡迎有需求者咨詢供應(yīng)商。
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