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元器件應用

晶體管上的簡單 XOR 邏輯元件

“異或”邏輯元件廣泛應用于各種數(shù)字設(shè)備中。然而,在某些情況下,例如,當使用更高的工作電壓時,使用標準芯片是不可能的。這個問題可以通過使用離散元來解決。如果標準的 AND 或 OR 邏輯元件很容易被二極管電阻電...

分類:元器件應用 時間:2023-06-01 閱讀:479 關(guān)鍵詞:晶體管

IGBT的選型及注意事項

第一部分 選型及注意事項 1、電壓規(guī)格??器件上所承受的最高電壓要小于器件的額定電壓2、電流規(guī)格??一般使用的ICmax≦IC(nom)*70%3、電路結(jié)構(gòu)??由電氣方案決定電路結(jié)構(gòu),然后選擇合適的模塊以符合電路結(jié)構(gòu)4、封裝??需...

分類:元器件應用 時間:2023-05-31 閱讀:847 關(guān)鍵詞:IGBT

芯片IC0.1uF的電容,這些參數(shù)是如何確定

我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容,比如100uF、10uF、100nF、10nF不同的容值。那么,這些參數(shù)是如何確定的呢?數(shù)字電路要運行穩(wěn)定可靠,電源一定要“干凈”,并且能量補充一定要及時,也就是濾波去耦一定...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:245 關(guān)鍵詞:電容

三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds?

MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū),導通電流Ice主要由Ib與Vce決定,由于三...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:261 關(guān)鍵詞:三極管

選用MOSFET作為控制開關(guān)的應用

一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS,導通時需要是柵極電壓大于源極電壓,而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:299 關(guān)鍵詞:MOSFET

線性穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器

每個新的電子設(shè)備都需要某種程度的功率調(diào)節(jié)。無論新產(chǎn)品是依靠電池,外部電源還是交流電源運行,都需要為新系統(tǒng)設(shè)計一種調(diào)節(jié)策略。這可能涉及多個功率調(diào)節(jié)電路,通常帶有反...

分類:元器件應用 時間:2023-05-25 閱讀:625 關(guān)鍵詞:開關(guān)穩(wěn)壓器

MOS管被擊穿的原因及解決方案

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:291 關(guān)鍵詞:MOS管

晶振選型設(shè)計必須重視的地方

幾乎所有使用MCU的產(chǎn)品,外圍電路都離不開晶振電路設(shè)計,大多數(shù)電子設(shè)計人員從入門開始都會接觸到晶振電路,但實際上,很少有人真正了解晶振電路是如何工作的,在晶振出現(xiàn)問題之前,多數(shù)人不會付出太多精力去關(guān)注振...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:265 關(guān)鍵詞:晶振

Y電容容量為什么不能太大呢?

Y電容  Y電容是安規(guī)電容的一種,安規(guī)電容是指用于這樣的場合:即電容器失效后,不會導致電擊也不會不危及人身安全。也就是因為這樣安規(guī)電容與其他普通的電容有著不一樣的地方,普通的電容在電源斷開之后很長一段時...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:267 關(guān)鍵詞:電容

4個方面了解MOS管

01 MOS管種類&結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是...

分類:元器件應用 時間:2023-05-22 閱讀:565 關(guān)鍵詞:MOS管

LDO的基本構(gòu)架和工作原理

LDO,全稱低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator),屬于線性電源,應用時所需要的外接元件較少,一些型號的LDO只需在輸入端和輸出端各接一個濾波電容。通過電阻R1、R2對輸出電壓進行采樣,將采集的電壓與基準電...

分類:元器件應用 時間:2023-05-22 閱讀:825 關(guān)鍵詞:LDO

分析三極管的開關(guān)速度由什么決定

晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征,開關(guān)時間越短,開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程,相應地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff,晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。如何提高晶體管的開...

分類:元器件應用 時間:2023-05-22 閱讀:563 關(guān)鍵詞:三極管

深入全面分析TVS二極管

在電子行業(yè)中,靜電放電(簡稱ESD)對產(chǎn)品的危害是極大的。特別是在干燥的冬天,有時候你的電路突然就工作不正常了,然后找原因突然發(fā)現(xiàn)某個元件不知所以的壞掉了。除了注意不要隨意用手觸摸電路板及電子元件等常規(guī)...

分類:元器件應用 時間:2023-05-20 閱讀:963 關(guān)鍵詞:TVS二極管

電感(線圈)具有哪些基本特性

首先,電感(線圈)具有以下基本特性,稱之為“電感的感性電抗”?①直流基本上直接流過。?②對于交流,起到類似電阻的作用。?③頻率越高越難通過。下面是表示電感的頻率和阻抗特性的示意圖。在理想電感器中,阻抗隨...

分類:元器件應用 時間:2023-05-20 閱讀:695 關(guān)鍵詞:電感

這兩種PNP與NPN三極管使用方法你知道嗎?

在單片機應用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。PNP與NPN兩種三極管使用方法上圖中,橫向左側(cè)的引腳叫做基極b,有一個箭頭的是發(fā)射極e,剩下的一個引腳就是集電極 c。首先來說一下NPN型,這種型號的三極管在用于...

分類:元器件應用 時間:2023-05-20 閱讀:871 關(guān)鍵詞:三極管

什么是繼電器?它是如何工作的

1繼電器的構(gòu)造和工作原理電磁繼電器是一種常見的繼電器,其中4098型超小型繼電器使用最為廣泛。-24是這種繼電器的結(jié)構(gòu)示意圖—24 4098型繼電器繼電器的工作原理是,當繼電器線圈通電后,線圈中的鐵芯產(chǎn)生強大的電磁...

分類:元器件應用 時間:2023-05-19 閱讀:578 關(guān)鍵詞:繼電器

LDO穩(wěn)壓器如何才能實現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定和精確

穩(wěn)壓器在想要從不穩(wěn)定或可變的電源中獲得穩(wěn)定電源電壓的應用至關(guān)重要。這類電源包括逐漸放電式的電池或整流后的交流電壓等。而對開關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲或殘留交流紋波較敏感的應用,包括射頻收發(fā)器、Wi-Fi模塊和光學...

分類:元器件應用 時間:2023-05-19 閱讀:638 關(guān)鍵詞:LDO穩(wěn)壓器

肖特基二極管是如何進行反向恢復的

肖特基二極管以發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名。SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基勢壘二極管的縮寫。不同于一般二極管的P半導體和N半導體接觸形成,肖特基二極管是利用金屬和半導體接觸形成。肖特基的兩個...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:378 關(guān)鍵詞:肖特基二極管

一文帶你了解IGBT開關(guān)過程

IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài),即VGE為負壓VGC-,后級輸出為阻感性負載,帶有...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:486 關(guān)鍵詞:IGBT開關(guān)

偏置電阻應該怎樣進行計算?

運算放大器在輸入為0V的時候,輸出不一定為0V,可能幾十uV到幾mv,這個叫做運算放大器的直流偏置,如果放大倍數(shù)比較大的話,這個直流偏置也會被放大,為了消除直流偏置,在運放的電源端和輸入端加一個幾M的電阻,或...

分類:元器件應用 時間:2023-08-31 閱讀:326 關(guān)鍵詞:電阻

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