TVS二極管防浪涌部分特性解析

1:Pppm最大峰值脈沖功率 600W，通過10/1000us波形測試得到(Single Die)。這個參數(shù)是TVS瞬間承受的最大功率。如圖可知功率值等于最大鉗位電壓Vc和最大峰值脈沖電流Ipp的乘積。2:Vr最大反向工作電壓，無操作即可施加到...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-09 閱讀：718 關(guān)鍵詞：TVS二極管

當(dāng)二極管根本不夠好時：超級二極管

這篇文章是 AAC 的模擬電路集的一部分，討論了一個有趣的電路，其中運(yùn)算放大器和普通二極管一起工作以創(chuàng)建超級二極管。二極管是我們最早了解的電子元件之一。它們的重要性可能不會立即變得清晰——但一段時間后，我...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-09 閱讀：863 關(guān)鍵詞：二極管

電源工程師必須要了解的MOS管GS波形

對于咱們電源工程師來講，很多時候都在波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，拿開關(guān)GS波形為例來聊一下GS的波形。測試MOS管GS波形時，有時會看到下圖中的這種波形，...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-08 閱讀：592 關(guān)鍵詞：MOS管

IGBT模塊是如何失效的？

1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-08 閱讀：445 關(guān)鍵詞：IGBT

電容降壓是怎么一回事？

一、電容降壓原理電容降壓的工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。例如，在50Hz的工頻條件下，一個1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆。當(dāng)220V的交流電壓加在電容器的兩端，則流...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-08 閱讀：540 關(guān)鍵詞：電容

通過功率 MOSFET 技術(shù)創(chuàng)新加速提高效率

MOSFET 技術(shù)自問世以來就被廣泛認(rèn)為是電源管理電路中開關(guān)的絕佳選擇。自 20 世紀(jì) 70 年代后期開始商用，垂直擴(kuò)散 MOSFET (VDMOS) 結(jié)構(gòu)率先滿足了電源開關(guān)的需求。1由于其卓越的開關(guān)性能和高輸入阻抗，MOSFET 迅速成...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-08 閱讀：820 關(guān)鍵詞：MOSFET

開關(guān)管MOSFET的功耗分析和功耗優(yōu)化

一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的E...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-06-30 閱讀：344 關(guān)鍵詞：MOSFET

I2C 設(shè)計數(shù)學(xué)：電容和電阻

了解 I 2 C 及其帶來的一些設(shè)計挑戰(zhàn)，包括邏輯閾值、影響電容的因素以及最小和最大上拉電阻。本文介紹了哪些變量會影響總線的電容。它還著眼于用于確定上拉電阻大小和確定電路走線的最大長度的數(shù)學(xué)計算。讓我們從討...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-05-05 閱讀：1227 關(guān)鍵詞：電容,電阻

MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用

本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-28 閱讀：1089 關(guān)鍵詞：MOSFET

什么是線性穩(wěn)壓器？

電子系統(tǒng)接收的電源電壓通常高于系統(tǒng)電路所需的電壓。例如，一個 9 V 電池可用于為需要 0 至 5 V 輸入范圍的放大器供電，或者兩個串聯(lián)的 1.5 V 電池可為包含 1.8 V 數(shù)字邏輯的電路供電。在這種情況下，我們需要使用...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-28 閱讀：863 關(guān)鍵詞：線性穩(wěn)壓器

安規(guī)電容選擇和應(yīng)用

一、安規(guī)電容安規(guī)電容之所以稱之為安規(guī)，它是指用于這樣的場合：即電容器失效后，不會導(dǎo)致電擊，也不危及人身安全。安規(guī)電容包含X電容和Y電容兩種，它普通電容不一樣的是，普通電容即使在外部電源斷開之后，它內(nèi)部儲...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-27 閱讀：1023 關(guān)鍵詞：安規(guī)電容

結(jié)型二極管的特性

在本文中，我們將研究結(jié)型二極管的特性，并學(xué)習(xí)如何分析包含在正向、反向和擊穿偏壓下工作的二極管的電路。結(jié)型二極管特性二極管最常見的應(yīng)用之一是 pn 結(jié)。該 pn 結(jié)可用于操作和實現(xiàn)二極管的功能，因為它可以在正向...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-27 閱讀：893 關(guān)鍵詞：結(jié)型二極管

為什么IGBT是最適合斬波應(yīng)用的器件

斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-26 閱讀：571 關(guān)鍵詞：IGBT

圖像傳感器技術(shù)簡介，從光子到電子

在這一點上，電子電路已經(jīng)取代膠片成為記錄光的主要手段是不言而喻的。數(shù)以億計（如果不是數(shù)十億）的人生活在智能手機(jī)觸手可及的地方，而智能手機(jī)也是相機(jī)，其中許多人可能對使用膠片相機(jī)而不是電子設(shè)備拍照的可能性...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-26 閱讀：674 關(guān)鍵詞：圖像傳感器

總結(jié)肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用

隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用越來越廣泛，制造高能效產(chǎn)品成為研究人員和制造商的首要關(guān)注點。 肖特基勢壘二極管 (SBD) 是引起研究人員和制造商興趣以實現(xiàn)高功率和高溫應(yīng)用目標(biāo)的一個關(guān)鍵組件。由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (G...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-25 閱讀：715 關(guān)鍵詞：二極管

Nexperia 的溝槽肖特基二極管提高電源效率

通常，異步開關(guān)模式電源 (SMPS) 的主要損耗源是二極管的非理想特性。解決此問題的一種方法是使用同步 SMPS，其中二極管被受控 MOSFET 開關(guān)取代。這種方法肯定會提高效率；然而，它是以增加電路和需要精確控制為代價...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-25 閱讀：688 關(guān)鍵詞：肖特基二極管

羅姆在打印機(jī)用激光二極管市場的布局與優(yōu)勢

打印機(jī)是我們工作和生活中常見的一類OA產(chǎn)品，根據(jù)不同的工作方式，主流的打印機(jī)可以分為：激光打印機(jī)、噴墨打印機(jī)和針式打印機(jī)。相比噴墨打印機(jī)和針式打印機(jī)，激光打印機(jī)具有分辨率高、打印速度快、堅固耐用等特點，...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-24 閱讀：630 關(guān)鍵詞：音頻

三極管基極靜態(tài)偏置電流作用

了解基極靜態(tài)偏置電流作用 偏置電路的作用是給三極管提供基極直流電流，這一電流又稱基極靜態(tài)偏置電流。 只有當(dāng)三極管工作在放大狀態(tài)時，才給三極管提供靜態(tài)偏置電流，而這一電流是保證三極管工作在放大狀態(tài)的...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-24 閱讀：703 關(guān)鍵詞：三極管

詳解MOS管的20種參數(shù)

最大額定參數(shù)最大額定參數(shù)，所有數(shù)值取得條件：(Ta=25℃)1、VDSS 最大漏-源電壓在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-04-24 閱讀：839 關(guān)鍵詞：MOS管

射頻設(shè)計時的電容Q值D值

在做射頻的時候，選擇電感電容時特別關(guān)注他們的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它為什么重要？品質(zhì)因數(shù)Q：表征一個儲能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路所儲能量同每周損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo)。元件的Q...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2023-07-17 閱讀：277 關(guān)鍵詞：射頻,電容