IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-05-19 閱讀：486 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)
PI 汽車級驅(qū)動(dòng)板SCALETM EV優(yōu)化并保障SiC和IGBT開關(guān)電路
前不久深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（PI）推出了一款SCALETM EV系列門極驅(qū)動(dòng)板，該驅(qū)動(dòng)板通過汽車級認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證，可實(shí)現(xiàn)AS...
ST-意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計(jì)。 IGBT驅(qū)動(dòng)器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-06-08 閱讀：670 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VG...
時(shí)間：2020-02-06 閱讀：1004 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
1. 概述 HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器。它的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16...
時(shí)間：2018-11-15 閱讀：1415 關(guān)鍵詞：IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用開關(guān),激微機(jī)
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