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FDD6680A

更新時間:2025-07-03 12:47:36

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FDD6680A外觀圖

FDD6680A

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 14A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6680A 概述

FDD6680A是由Fairchild Semiconductor生產的P溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源管理應用。其最大漏源電壓為-30V，在柵極驅動電壓為-10V時，最大導通電阻僅為20mΩ，這使得它在電池供電設備和便攜式電子產品中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括負載開關、DC-DC轉換器以及電池充電電路中的功率控制。在設計過程中，需注意其最大功耗限制，并確保散熱良好以維持穩(wěn)定工作溫度。對于需要高效率和緊湊布局的設計，F(xiàn)DD6680A是一個理想選擇。使用時應遵循制造商提供的電氣參數和推薦PCB布局指南，以實現(xiàn)最佳性能。

FDD6680A 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫歐 @ 14A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1425pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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