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FDD6685

更新時間:2025-07-03 13:09:59

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FDD6685外觀圖

FDD6685

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 11A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6685 概述

FDD6685是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型導通電阻僅為0.021Ω，這有助于減少導通損耗。其最大漏極電流可達22A，適用于高效直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器以及各種電源管理應用。在DC-DC降壓轉換器中使用時，建議將FDD6685作為低壓側開關以充分利用其低導通電阻優(yōu)勢。設計PCB布局時應確保源極和漏極引腳有足夠大的銅面積以便散熱，同時也要注意柵極驅動電路的設計，保證足夠的驅動電壓來使MOSFET完全開啟。由于它對靜電敏感，焊接和操作過程中需要采取防靜電措施。

FDD6685 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1715pF @ 15V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD6685-NDFDD6685TR

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