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即從漏極到源極。電感l(wèi)1對(duì)于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導(dǎo)通期間的開(kāi)關(guān)損耗。圖4a描述了mosfet的導(dǎo)通過(guò)程。 為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet。當(dāng)二極管導(dǎo)通后被反向偏置，反向恢復(fù)峰值電流irrm較小，完成恢復(fù)所需要的時(shí)間更短(見(jiàn)圖3)。 圖3：具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet，反向恢復(fù)峰值電流較小，恢復(fù)時(shí)間縮短。 我們對(duì)比測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)的mosfet和快恢復(fù)mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導(dǎo)通工作期間，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%。采用std5nk52zd時(shí)效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動(dòng)空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓?fù)渲?，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet更為合適。 圖4：a) q2采用標(biāo)準(zhǔn)mosfet的開(kāi)狀態(tài)操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet開(kāi)狀態(tài)操作。
極管d2被反向偏置， n區(qū)的少數(shù)載流子進(jìn)入p+體區(qū)，反之亦然。這種快速轉(zhuǎn)移導(dǎo)致大量的電流流經(jīng)二極管，從n-epi到p+區(qū)，即從漏極到源極。電感l(wèi)1對(duì)于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導(dǎo)通期間的開(kāi)關(guān)損耗。圖4a描述了mosfet的導(dǎo)通過(guò)程。 為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet。當(dāng)二極管導(dǎo)通后被反向偏置，反向恢復(fù)峰值電流irrm較小。 我們對(duì)比測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)的mosfet和快恢復(fù)mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導(dǎo)通工作期間，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%。采用std5nk52zd時(shí)效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動(dòng)空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓?fù)渲?，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet更為合適。 superfredmesh技術(shù)彌補(bǔ)了現(xiàn)有的fdmesh技術(shù)，具有降低導(dǎo)通電阻，齊納柵保護(hù)以及非常高的dv/dt性能，并采用了快速體-
到p+區(qū)，即從漏極到源極。電感l(wèi)1對(duì)于流經(jīng)q2和q1的尖峰電流表現(xiàn)出高阻抗。q1表現(xiàn)出額外的電流尖峰，增加了在導(dǎo)通期間的開(kāi)關(guān)損耗。圖4a描述了mosfet的導(dǎo)通過(guò)程。 為改善在這些特殊應(yīng)用中體二極管的性能，研發(fā)人員開(kāi)發(fā)出具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet。當(dāng)二極管導(dǎo)通后被反向偏置，反向恢復(fù)峰值電流irrm較小，完成恢復(fù)所需要的時(shí)間更短(見(jiàn)圖3)。 圖3：具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet，反向恢復(fù)峰值電流較小，恢復(fù)時(shí)間縮短我們對(duì)比測(cè)試了標(biāo)準(zhǔn)的mosfet和快恢復(fù)mosfet。st推出的std5nk52zd(superfredmesh系列)放在q2(lf)中，如圖4b所示。在q1 mosfet(hf)的導(dǎo)通工作期間，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%。采用std5nk52zd時(shí)效率和熱性能獲得很大提升(在不采用散熱器的自由流動(dòng)空氣環(huán)境下，殼溫從60°c降低到50°c)。在這種拓?fù)渲?，mosfet內(nèi)部的體二極管用作續(xù)流二極管，采用具有快速體二極管恢復(fù)特性mosfet更為合適。 圖4：a) q2采用標(biāo)準(zhǔn)mosfet的開(kāi)狀態(tài)操作； b) q2采用st公司的std5nk52zd mosfet開(kāi)狀態(tài)操作supe
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