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直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復mosfet晶體管具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封裝，額定漏極電流25a，導通電阻0.13歐姆；std11nm60nd采用dpak貼裝封裝，漏極電流10a，導通電阻0.45歐姆；st的fdmesh ii系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續(xù)產(chǎn)品將采用業(yè)內(nèi)標準的功率封裝。 stw55nm60nd現(xiàn)在已開始量產(chǎn)。 來源:ks99
合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復mosfet晶體管具有最低的導通電阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封裝，額定漏極電流25a，導通電阻0.13歐姆；std11nm60nd采用dpak貼裝封裝，漏極電流10a，導通電阻0.45歐姆；st的fdmesh ii系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續(xù)產(chǎn)品將采用業(yè)內(nèi)標準的功率封裝。 來源:ks99
合垂直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復mosfet晶體管具有極低的導通電阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封裝，額定漏極電流25a，導通電阻0.13歐姆；std11nm60nd采用dpak貼裝封裝，漏極電流10a，導通電阻0.45歐姆。 stw55nm60nd現(xiàn)在已開始量產(chǎn)。
直結(jié)構(gòu)，同時還內(nèi)置一個速度更快、可靠性更強的本征體二極管。除降低導通電阻和恢復時間外，通過降低柵電容、柵電荷和柵輸入電阻，這些技術(shù)改良更能提高開關(guān)效率，降低驅(qū)動損耗。在開關(guān)期間提高的可靠性，特別是在橋式拓撲中，包括在低負載下的零壓開關(guān)（zvs）結(jié)構(gòu)，使新產(chǎn)品具有很高的dv/dt值。 采用這項技術(shù)的未來產(chǎn)品還將提供更多的封裝選擇和電流性能，每款封裝都讓快速恢復mosfet晶體管具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。其中，stp30nm60nd采用to-220封裝，額定漏極電流25a，導通電阻0.13歐姆；std11nm60nd采用dpak貼裝封裝，漏極電流10a，導通電阻0.45歐姆；st的fdmesh ii系列產(chǎn)品將不斷推出新產(chǎn)品，以擴大電壓和電流性能的選擇范圍，后續(xù)產(chǎn)品將采用業(yè)內(nèi)標準的功率封裝。 stw55nm60nd現(xiàn)在已開始量產(chǎn)。
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