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意法半導體(st)推出了新系列功率mosfet的第一款產品std11nm60n。 該產品通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。std11nm60n特別適合照明應用產品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈(hid)電子鎮(zhèn)流器。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代mdmesh技術，最大通態(tài)電阻rds(on)僅為450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2v)沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。 std11n
意法半導體(st)近日推出了新系列功率mosfet的第一款產品std11nm60n。 該產品通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。std11nm60n特別適合照明應用產品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈(hid)電子鎮(zhèn)流器。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代mdmesh技術，最大通態(tài)電阻rds(on)僅為450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2v)沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導通的噪聲抑制性能
世界領先的功率半導體產品制造商之一的意法半導體（紐約證券交易所代碼：stm)近日推出了新系列功率mosfet產品的第一款產品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代 mdmeshtm 技術，最大通態(tài)電阻 rds (on) 450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而這一優(yōu)異特性并不是以犧牲對其溫度特性的精確控制為代價的。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)（柵閾壓）電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍（2v）沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)異的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。 740)this.width=740" b
意法半導體(st)近日推出了新系列功率mosfet的第一款產品std11nm60n。 該產品通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。std11nm60n特別適合照明應用產品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈(hid)電子鎮(zhèn)流器。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代mdmesh技術，最大通態(tài)電阻rds(on)僅為450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2v)沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導通的
意法半導體(st)近日推出了新系列功率mosfet的第一款產品std11nm60n。 該產品通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。std11nm60n特別適合照明應用產品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈(hid)電子鎮(zhèn)流器。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代mdmesh技術，最大通態(tài)電阻rds(on)僅為450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2v)沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導通的噪聲抑
意法半導體(st)近日推出了新系列功率mosfet的第一款產品std11nm60n。 該產品通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性優(yōu)越，為客戶大幅降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。std11nm60n特別適合照明應用產品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈(hid)電子鎮(zhèn)流器。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代mdmesh技術，最大通態(tài)電阻rds(on)僅為450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而且這一特性并沒有犧牲對其溫度特性的精確控制為代價。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)(柵閾壓)電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍(2v)沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)良的防止電路意外導通
意法半導體推出了新系列功率mosfet產品的第一款產品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代 mdmeshtm 技術，最大通態(tài)電阻 rds (on) 450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而這一優(yōu)異特性并不是以犧牲對其溫度特性的精確控制為代價的。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)（柵閾壓）電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍（2v）沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)異的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。 std11nm60n的主要特性包括一個優(yōu)異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫
世界領先的功率半導體產品制造商之一的意法半導體日前推出了新系列功率mosfet產品的第一款產品。 通態(tài)電阻極低，動態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產品為客戶大幅度降低照明應用的傳導損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機會。 商用照明應用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產品std11nm60n就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導體器件技術極限的實例，該產品采用st自主開發(fā)的第二代 mdmeshtm 技術，最大通態(tài)電阻 rds (on) 450 mω，該器件的電阻值比上一代mdmesh技術降低了55%，而這一優(yōu)異特性并不是以犧牲對其溫度特性的精確控制為代價的。 除通過最小化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600v產品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅動電路，該電路使mosfet能夠在較低的vgs(th)（柵閾壓）電壓下驅動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍（2v）沒有變化，但是驅動該器件所需的vgs電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)異的防止電路意外導通的噪聲抑制性能。 std11nm60n的主要特性包括一個優(yōu)異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩
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