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IR MOSFET及控制芯片組方案
固定工作周期。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計(jì)，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無(wú)需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式導(dǎo)通電阻
用于下一代分布電源結(jié)構(gòu)的直流總線變換器和負(fù)載點(diǎn)電源模塊技術(shù)
o-8封裝內(nèi)，具有外部可調(diào)節(jié)的頻率和死區(qū)時(shí)間以用于各種應(yīng)用要求。提供了使能端和電流限制控制端。內(nèi)部軟啟動(dòng)特性極限在啟動(dòng)期間的浪涌電流，通過(guò)大約在門驅(qū)動(dòng)信號(hào)的最初2000 個(gè)脈沖期間逐漸增加占空比到50%。相類似的方法可用于全橋直流總線變換器，使用新型的ir2086s，對(duì)于高達(dá)240w，在相似的波形因素下，在滿載電流下具有大約96.4%的效率。圖1顯示了48v直流輸入的原理圖，它可用于36到75v輸入電壓寬范圍、220w直流總線變換器電路。在初級(jí)，ir2085s 控制器和驅(qū)動(dòng)器ic 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)irf6644 低電荷directfet封裝功率mosfet，它是100v 的n-溝道功率mosfet。初級(jí)的偏置電壓通過(guò)一個(gè)線性穩(wěn)壓器來(lái)獲得，并用于啟動(dòng)，然后在穩(wěn)態(tài)下由變壓器獲得。irf7380，是雙80v n-溝道功率mosfet，集成在so-8封裝內(nèi)，被用于獲得該功能。在次級(jí)，新穎的30v n-溝道irf6612 或irf6618 directfet封裝功率mosfet用于自驅(qū)動(dòng)的同步整流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。對(duì)于12v輸出應(yīng)用來(lái)說(shuō)，新型的40v n-溝道irf6613 可用作同步整流mosfet，這個(gè)單元在小于

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。相比于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的四分之一磚設(shè)計(jì)，該芯片組能有效節(jié)省多達(dá)50% 的電路板空間，并可減少60% 的組件數(shù)目。 ir2086s設(shè)有一個(gè)集成軟啟動(dòng)電容器，能在2,000余個(gè)周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%，以限制在啟動(dòng)階段輸入的電流；同時(shí)在整個(gè)啟動(dòng)過(guò)程中為全橋的高、低端mosfet保持相同的脈沖寬度。新器件的其它特點(diǎn)包括自恢復(fù)電流限制保護(hù)、(1.2a柵驅(qū)動(dòng)電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時(shí)間以抗衡擊穿電流、最高達(dá)500khz的可編程開關(guān)頻率。設(shè)計(jì)師可從100v irf6644或irf6655、40v irf6613或irf6614四種directfet mosfet選擇所需產(chǎn)品，組成完整的芯片組。這些mosfet采用ir最新技術(shù)及directfet封裝，能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標(biāo)。由于器件溫度更低，因此無(wú)需在初級(jí)部分添加并行器件，即可滿足更高電流要求。整體而言，irf6644可提升約46% 輸出功率，并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級(jí)和次級(jí)部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案，irf6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。 irf6644的組合式
IR推出通用有源ORing控制器集成電路
理器電源。在12v輸出的系統(tǒng)中，只需并聯(lián)4個(gè)irf6609 directfet mosfet，便可組成能處理100a電流的oring電路。ir5001s還可以用于48v/24v系統(tǒng)的反向極性應(yīng)用，取代大型的d2pak二極管和昂貴的繼電器。如果把ir5001s與100v的irf6655 directfet mosfet配合使用，可以提供30w到60w功率級(jí)的板上電源。采用小罐式封裝的irf6655比采用so-8封裝的體積減少一半，更適合功率較低的應(yīng)用系統(tǒng)。采用中罐式封裝的100w irf6644 directfet mosfet適用于功率較高的應(yīng)用，能提供250w到300w功率級(jí)的板上電源，而且無(wú)需使用多個(gè)并聯(lián)的so-8器件或體積更大的獨(dú)立封裝器件。如果加入簡(jiǎn)單的電荷泵電路，ir5001s可加裝在-48v系統(tǒng)的接地oring端，以符合“先進(jìn)電信計(jì)算架構(gòu)”(atca)的規(guī)范。新產(chǎn)品采用輸入終端(inn和inp)來(lái)測(cè)量外置mosfet的漏極和源極之間的不同電壓和極性，從而確定輸出電壓。ic的輸出電壓(vout)能驅(qū)動(dòng)外置mosfet柵極。如果電流極性反向，該ic會(huì)將

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