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IRF6722M
32568
DirectFET MP/18+
一級代理進口原裝長期供應(yīng)絕對優(yōu)勢價格誠信經(jīng)營
IRF6722M
8000
DirectFET MP/23+
終端可免費供樣，支持BOM配單
IRF6722M
16500
DirectFET MP/25+23+
原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包
IRF6722M
8000
DirectFETMX/2023+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6722M
8000
DirectFET MP/22+
原裝進口可開票
IRF6722M
8000
DirectFETMX/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6722M
8800
-/24+
原廠授權(quán)代理商主營IGBT模塊 可控硅模塊 二極管 晶
IRF6722M
8000
DirectFETMX/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
IRF6722M
8000
DirectFET MP/25+
只做原裝
IRF6722M
24500
-/-
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
IRF6722M
6560
FET MP/09+
原裝，公司現(xiàn)貨
IRF6722M
20000
SO8/2024+
13%原裝
IRF6722MPBF
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
IRF6722MTR1PBF
10000
DIRECTFET MP/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)
IRF6722MTR1PBF
5000
DIRECTFET MP/16+
原裝正品，配單能手
IRF6722MTR1PBF
5000
DIRECTFET MP/16+
原裝，配單能手
IRF6722MTR1PBF
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應(yīng)，免費送樣
IRF6722MTR1PBF
3000
DIRECTFET MP/24+
原裝現(xiàn)貨,提供優(yōu)質(zhì)配單服務(wù)
IRF6722MTR1PBF
9000
DirectFET Isometric MP/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
IRF6722MPBF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6722MPBFPDF下載
IRF6722MTRPbF
DirectFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6722MTRPbFPDF下載
新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。 來源:ks99
的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計。導(dǎo)通電阻 (rds(on)) 非常低，同時把柵極電荷 (qg) 和柵漏極電荷 (qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。 irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。
et封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on)特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定(rohs)，并已接受批量訂單。
fet封裝，新的30v器件具有非常低的rds(on)、qg和qgd特性，可提高整個負(fù)載的效率和散熱性能。這也有助于實現(xiàn)每相位25a的操作，同時保持單一控制和單一同步mosfet的小巧體積?！?irf6724m、irf6725m、irf6726m，以及irf6727m具有極低的rds(on) 特性，非常適合高電流同步mosfet。這些新器件與上一代器件采用通用的mt和mx占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。 irf6721s、irf6722s與irf6722m極低的qg和qgd，使這些器件非常適用于控制mosfet。它們還有sq、st和mp占位面積可供選擇，可以使設(shè)計更具靈活性。 新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (rohs)，并已接受批量訂單。
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